[发明专利]氮化物晶体

说明书

本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于，提高氮化物晶体的品质，提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体，其是用Insubgt;x/subgt;Alsubgt;y/subgt;Gasubgt;1‑x‑y/subgt;N的组成式(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)表示的晶体，晶体中的B的浓度低于1×10supgt;15/supgt;at/cmsupgt;3/supgt;，晶体中的O和C的各浓度在晶体的主面的60％以上的区域中均低于1×10supgt;15/supgt;at/cmsupgt;3/supgt;。

技术领域

本发明涉及氮化物晶体。

背景技术

在制作发光元件、高速晶体管等半导体设备时，有时使用例如氮化镓(GaN)等III族氮化物的晶体(参照专利文献1～4)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-104693号公报

专利文献2：日本特开2007-153664号公报

专利文献3：日本特开2005-39248号公报

专利文献4：日本特开2018-070405号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供能够提高上述晶体的品质、提高使用该晶体而制作的半导体设备的性能、且使制造成品率良好的技术。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个方式，提供一种氮化物晶体，其是用In_xAl_yGa_1-x-yN的组成式(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)表示的晶体，

前述晶体中的B的浓度低于1×10¹⁵at/cm³，

前述晶体中的O和C的各浓度在前述晶体的主面的60％以上的区域中均低于1×10¹⁵at/cm³。

发明的效果

根据本发明，能够提高III族氮化物的晶体的品质，提高使用该晶体而制作的半导体设备的性能，且使制造成品率良好。

附图说明

图1的(a)是GaN基板10的俯视图的示意图，图1的(b)是GaN基板10的侧视图的示意图。

图2是气相生长装置200的概略构成图，表示在反应容器203内实施晶体生长步骤时的情况。

图3是气相生长装置200的概略构成图，表示使反应容器203的炉口221开放的状态。

图4的(a)是使GaN晶体膜21在种晶基板20上较厚地生长的情况的示意图，图4的(b)是通过将较厚地生长的GaN晶体膜21切片而获得多个GaN基板10的情况的示意图。

图5是GaN晶体的电阻率的评价结果的示意图。

图6的(a)为示出在高温烘烤步骤中不实施氧化程序的情况下的GaN晶体中的氧浓度的主面内分布的评价结果的图，(b)为示出在高温烘烤步骤中不实施氧化程序的情况下的GaN晶体中的碳浓度的主面内分布的评价结果的图。