[发明专利]氮化物晶体

权利要求书

1.一种氮化物晶体，其是用In_xAl_yGa_1-x-yN的组成式表示的晶体，其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1，

所述晶体中的B的浓度低于1×10¹⁵at/cm³，

所述晶体中的O和C的各浓度在所述晶体的主面的60％以上的区域中均低于1×10¹⁵at/cm³。

2.根据权利要求1所述的氮化物晶体，其中，所述晶体中的Si和Fe的各浓度均低于1×10¹⁵at/cm³。

3.根据权利要求2所述的氮化物晶体，其在20℃以上且300℃以下的温度条件下的电阻率为1×10⁶Ωcm以上。

4.根据权利要求1所述的氮化物晶体，所述晶体中的Si浓度低于1×10¹⁵at/cm³，Fe浓度为1×10¹⁶at/cm³以上。

5.根据权利要求4所述的氮化物晶体，其在20℃以上且300℃以下的温度条件下的电阻率为1×10⁷Ωcm以上。

6.根据权利要求1所述的氮化物晶体，所述晶体中的Fe浓度低于1×10¹⁵at/cm³，Si或Ge或者它们的总浓度为1×10¹⁵at/cm³以上。

7.根据权利要求6所述的氮化物晶体，其在20℃以上且300℃以下的温度条件下的电阻率为1×10²Ωcm以下。

8.根据权利要求2所述的氮化物晶体，其在20℃以上且300℃以下的温度条件下的电阻率为1×10²Ωcm以下。

9.根据权利要求6所述的氮化物晶体，所述晶体中的Mg浓度为1×10¹⁷at/cm³以上。

10.根据权利要求9所述的氮化物晶体，其在20℃以上且300℃以下的温度条件下的电阻率为1×10²Ωcm以下。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的氮化物晶体，所述晶体中的O和C的各浓度在所述晶体的主面的60％以上的区域中均低于5×10¹⁴at/cm³。

12.根据权利要求1～10中任一项所述的氮化物晶体，所述晶体中的O浓度在所述晶体的主面的60％以上的区域中低于5×10¹⁴at/cm³，

所述晶体中的C浓度在所述晶体的主面的60％以上的区域中低于1×10¹⁴at/cm³。