[发明专利]封装结构有效

专利信息
申请号: 201910681479.2 申请日: 2019-07-26
公开(公告)号: CN110473844B 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 缪小勇;王洪辉 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/492;H01L23/552
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 高德志
地址: 226006 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构
【说明书】:

一种封装结构,若干半导体芯片倒装在基板的正面上;包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及底填充层侧面表面的第一屏蔽层;位于所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层;位于所述基板的背面的与输出端口连接的外部接触结构,所述第二屏蔽层能覆盖所述第一屏蔽层中厚度不均匀以及边缘覆盖不好的地方,从而使得第一屏蔽层和第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的,提高了屏蔽的效果。

技术领域

发明涉及半导体制作领域,尤其涉及一种具有电磁屏蔽的封装结构。

背景技术

新一代电子产品的飞速发展,推动集成电路封装也在向高密度、高频率、微型化、高集成的方向发展,而高频芯片往往会产生较强的电磁波,对封装内外及芯片造成不期望的干扰或噪声;加上电子部件密度越来越高,传输线路的距离越来越近,使得来自集成电路封装内外的电磁干扰问题也日益严重,同时会降低集成电路的品质、寿命等。

在电子设备及电子产品中,电磁干扰(Electromagnetic Interference)能量通过传导性耦合和辐射性耦合来进行传输。为满足电磁兼容性要求,对传导性耦合需采用滤波技术,即采用EMI滤波器件加以抑制;对辐射性耦合则需采用屏蔽技术加以抑制。在当前电磁频谱日趋密集、单位体积内电磁功率密度急剧增加、高低电平器件或设备大量混合使用等因素而导致设备及系统电磁环境日益恶化的情况下,其重要性就显得更为突出。

现有的一种电磁屏蔽解决方案,主要是在半导体封装结构上设置一个磁场屏蔽层,用于屏蔽芯片间的电磁干扰,但是现有的电磁屏蔽的效果仍有待提升。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是在怎样提高现有的封装结构的电磁屏蔽效果。

本发明提供了一种封装结构,包括:

基板,所述基板中具有若干线路结构,基板的正面具有若干输入端口,基板的背面具有若干输出端口,所述输入端口和输出端口分别与相应的线路结构连接;

倒装在基板的正面上的若干半导体芯片,每个半导体芯片包括功能面和与功能面相对的非功能面,所述功能面上具有若干焊盘,所述焊盘上具有金属凸块,所述每个半导体芯片上的金属凸块与基板的正面上对应的输入端口连接;

位于所述半导体芯片的功能面和基板的正面表面之间的底填充层;

包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及底填充层侧面表面的第一屏蔽层;

位于所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层;

位于所述基板的背面的与输出端口连接的外部接触结构。

可选的,所述第一屏蔽层通过溅射工艺形成,第一屏蔽层至少还覆盖半导体芯片之间的部分基板表面,所述第二屏蔽层通过选择性电镀工艺、点胶工艺或网板印刷工艺形成。

可选的,所述第一屏蔽层的材料为铜、钨或铝,所述第二屏蔽层的材料为铜、焊料或导电银胶。

可选的,所述第一屏蔽层为磁场屏蔽层,且所述第二屏蔽层为电场屏蔽层;或者所述第一屏蔽层为电场屏蔽层,且所述第二屏蔽层为磁场屏蔽层。

可选的,所述电场屏蔽层的材料为铜、钨、铝;所述磁场屏蔽层的材料为CoFeB合金、CoFeTa、NiFe、Co、CoFe、CoPt或者Ni、Co和Fe的合金。

可选的,所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层,所述底部屏蔽层覆盖半导体芯片的整个功能面,所述底部屏蔽层的四周边缘与半导体芯片的四周侧壁齐平,若干焊盘贯穿底部屏蔽层,焊盘与底部屏蔽层之间通过隔离层隔离;所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接。

可选的,所述外部接触结构为焊球,或者所述外接触结构包括金属柱和位于金属柱上的焊球。

可选的,还包括:位于所述基板中的导电接触结构,所述导电接触结构与第一屏蔽层电连接。

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