[发明专利]封装结构

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

基板，所述基板中具有若干线路结构，基板的正面具有若干输入端口，基板的背面具有若干输出端口，所述输入端口和输出端口分别与相应的线路结构连接；

倒装在基板的正面上的若干半导体芯片，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相对的非功能面，所述功能面上具有若干焊盘，所述焊盘上具有金属凸块，所述每个半导体芯片上的金属凸块与基板的正面上对应的输入端口连接，所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层，所述底部屏蔽层覆盖半导体芯片的整个功能面，所述底部屏蔽层的四周边缘与半导体芯片的四周侧壁齐平，若干焊盘贯穿底部屏蔽层，焊盘与底部屏蔽层之间通过隔离层隔离；且所述具有底部屏蔽层的半导体芯片的形成过程为：提供晶圆，所述晶圆上形成有若干半导体芯片，所述半导体芯片包括顶层介质层和位于顶层介质层中的顶层互连结构；在所述顶层介质层上形成隔离层；刻蚀所述隔离层，在所述隔离层中形成若干第一开口和包围所述若干第一开口的第二开口，且剩余的隔离层仅位于第一开口和第二开口之间，将所述第一开口和第二开口隔开；在所述若干第一开口中填充金属材料形成若干焊盘，在所述第二开口中填充金属材料形成底部屏蔽层；形成焊盘和底部屏蔽层后，切割所述晶圆，形成若干分立具有底部屏蔽层的半导体芯片；

位于所述半导体芯片的功能面和基板的正面表面之间的底填充层；

包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及底填充层侧面表面的第一屏蔽层，所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接；

位于所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层；

位于所述基板的背面的与输出端口连接的外部接触结构。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一屏蔽层通过溅射工艺形成，第一屏蔽层至少还覆盖半导体芯片之间的部分基板表面，所述第二屏蔽层通过选择性电镀工艺、点胶工艺或网板印刷工艺形成。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一屏蔽层的材料为铜、钨或铝，所述第二屏蔽层的材料为铜、焊料或导电银胶。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一屏蔽层为磁场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为电场屏蔽层；或者所述第一屏蔽层为电场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为磁场屏蔽层。

5.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述电场屏蔽层的材料为铜、钨、铝；所述磁场屏蔽层的材料为CoFeB合金、CoFeTa、NiFe、Co、CoFe、CoPt或者Ni、Co和Fe的合金。

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述外部接触结构为焊球，或者所述外接触结构包括金属柱和位于金属柱上的焊球。

7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于所述基板中的导电接触结构，所述导电接触结构与第一屏蔽层电连接。

8.一种将如权利要求1-7所述的封装结构进行分割后形成的独立的封装结构，其特征在于，包括：

基板，所述基板中具有线路结构，基板的正面具有若干输入端口，基板的背面具有若干输出端口，所述输入端口和输出端口分别与线路结构连接；倒装在基板的正面上的半导体芯片，所述半导体芯片包括功能面和与功能面相对的非功能面，所述功能面上具有若干焊盘，所述焊盘上具有金属凸块，所述半导体芯片上的金属凸块与基板的正面上对应的输入端口连接，且所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层，所述底部屏蔽层覆盖半导体芯片的整个功能面，所述底部屏蔽层的四周边缘与半导体芯片的四周侧壁齐平，若干焊盘贯穿底部屏蔽层，焊盘与底部屏蔽层之间通过隔离层隔离；

位于所述半导体芯片的功能面和基板的正面表面之间的底填充层；

包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及底填充层侧面表面的第一屏蔽层，所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接；

位于所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层；

位于所述基板的背面的与输出端口连接的外部接触结构。