[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

衬底；

下结构，所述下结构在所述衬底上并且包括焊盘图案，所述焊盘图案的上表面对应于所述下结构的最上表面；

多个下电极，所述多个下电极与所述焊盘图案的所述上表面接触；

介电层和上电极，所述介电层和所述上电极顺序地堆叠在每个所述下电极的表面上；以及

氢供应层，所述氢供应层包含氢，所述氢供应层位于所述下电极之间，并且比所述介电层更靠近所述衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

上绝缘图案，所述上绝缘图案填充所述焊盘图案之间的空间；以及

第一蚀刻停止层，所述第一蚀刻停止层位于所述焊盘图案和所述上绝缘图案上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述氢供应层包括对于用于氧化硅的湿法蚀刻剂具有或更低的蚀刻速率的绝缘材料。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述氢供应层位于所述第一蚀刻停止层上，并且

所述氢供应层包括含碳的氧化物。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述氢供应层包括SiOCH或SiOC。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一蚀刻停止层包括氮化硅、SiCN、SiBN或SiON。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述氢供应层上的第二蚀刻停止层，其中，所述氢供应层位于所述第一蚀刻停止层与所述第二蚀刻停止层之间。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述氢供应层包括含氢的氧化硅。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述氢供应层包括可流动氧化物、东燃硅氮烷、未掺杂石英玻璃、硼硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、等离子体增强原硅酸四乙酯、氟硅酸盐玻璃或等离子体增强氧化物。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二蚀刻停止层包括SiCN或SiBN。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二蚀刻停止层的厚度小于所述第一蚀刻停止层的厚度。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氢供应层填充所述焊盘图案之间的空间。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述氢供应层包括含碳的氧化物。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括与所述下电极的至少部分的侧壁接触的支撑图案。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述衬底上的位线结构，其中，所述氢供应层比所述位线结构的底部离所述衬底更远。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包含从所述氢供应层扩散的氢。