[发明专利]半导体器件

说明书

提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：衬底；下结构，所述下结构在所述衬底上并且包括焊盘图案，所述焊盘图案的上表面对应于所述下结构的最上表面；多个下电极，所述多个下电极与所述焊盘图案的所述上表面接触；介电层和上电极，所述介电层和所述上电极顺序地堆叠在每个所述下电极的表面上；以及氢供应层，所述氢供应层包含氢，位于所述下电极之间，并且比所述介电层更靠近所述衬底。

相关申请的交叉引用

2018年11月9日在韩国知识产权局提交的题为“A Semiconductor Device”的韩国专利申请No.10-2018-0137152通过引用被全部并入本文。

技术领域

实施例涉及半导体器件。

背景技术

在高度集成的DRAM(动态随机存取存储器)器件中，由于诸如衬底的表面部分中包括的悬空键之类的缺陷，可能发生刷新故障。可以考虑去除衬底中包括的该缺陷。

发明内容

实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底；下结构，所述下结构在所述衬底上并且包括焊盘图案，所述焊盘图案的上表面对应于所述下结构的最上表面；多个下电极，所述多个下电极与所述焊盘图案的所述上表面接触；介电层和上电极，所述介电层和所述上电极顺序地堆叠在每个所述下电极的表面上；以及氢供应层，所述氢供应层包含氢，在所述下电极之间，并且比所述介电层更靠近所述衬底。

实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底；下结构，所述下结构位于所述衬底上，并且包括焊盘图案和位于所述焊盘图案之间的上绝缘图案，所述焊盘图案的上表面和所述上绝缘图案的上表面对应于所述下结构的最上表面；第一蚀刻停止层，所述第一蚀刻停止层位于所述焊盘图案和所述上绝缘图案上；氢供应层，所述氢供应层包含氢，所述氢供应层位于所述第一蚀刻停止层上；多个下电极，所述多个下电极穿过所述氢供应层和所述第一蚀刻停止层，并且与所述焊盘图案的所述上表面接触；以及介电层和上电极，所述介电层和所述上电极顺序地堆叠在每个所述下电极的表面上。

实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底；下结构，所述下结构位于所述衬底上，并且包括焊盘图案和位于所述焊盘图案之间的氢供应图案，所述焊盘图案的上表面和所述氢供应图案的上表面对应于所述下结构的最上表面；多个下电极，所述多个下电极位于所述下结构上，并且与所述焊盘图案的所述上表面接触；以及介电层和上电极，所述介电层和所述上电极顺序地堆叠在每个所述下电极的表面上。

实施例可以通过提供一种制造半导体器件的方法来实现，所述方法包括：在衬底上形成下结构，所述下结构包括焊盘图案和位于所述焊盘图案之间的上绝缘图案，使得所述焊盘图案的上表面和所述上绝缘图案的上表面对应于所述下结构的最上表面；在所述下结构上形成氢供应层，使得所述氢供应层包含氢；形成穿过所述氢供应层的多个下电极，所述下电极与所述焊盘图案的所述上表面接触；以及形成顺序地堆叠在每个所述下电极的表面上的介电层和上电极。

实施例可以通过提供一种制造半导体器件的方法来实现，所述方法包括：在衬底上形成下结构，所述下结构包括焊盘图案和位于所述焊盘图案之间的氢供应图案，使得所述焊盘图案的上表面和所述氢供应图案的上表面对应于所述下结构的最上表面；在所述下结构上形成下电极，所述下电极与所述焊盘图案的所述上表面接触；以及形成顺序地堆叠在每个所述下电极的表面上的介电层和上电极。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是显而易见的，在附图中：

图1示出了根据示例实施例的半导体器件的截面图；

图2至图9示出了显示根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段的截面图；

图10示出了根据示例实施例的半导体器件的截面图；