[发明专利]显示面板、显示装置及其制作方法在审
| 申请号: | 201910677214.5 | 申请日: | 2019-07-25 |
| 公开(公告)号: | CN110491906A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
| 发明(设计)人: | 向明 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 覆盖层 阴极 阳极 显示面板 发光层 光子 显示区域 显示装置 外部光 透射 子区 穿透能力 电学性能 透明显示 显示效果 图案化 覆盖 膜层 制作 保证 | ||
本揭示提供一种显示面板、显示装置及其制作方法,所述显示面板包括显示区域,所述显示区域包括:发光子区和外部光透射子区;阳极,所述阳极设置于所述发光子区内;发光层,所述发光层设置于所述阳极上,且位于所述发光子区内;阴极,所述阴极设置于所述发光层远离所述阳极的一侧上,并覆盖所述显示区域;覆盖层,所述覆盖层设置于所述阴极远离所述发光层的一侧上,且所述覆盖层至少覆盖所述发光子区,通过图案化所述覆盖层,保持阴极上原有覆盖层的厚度,保证了各膜层正常的电学性能,以及显示面板和显示装置的显示效果,同时增强了外部光透射子区光线的穿透能力,从而提高所述显示面板以及显示装置的透明显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置及其制作方法。
背景技术
透明显示装置由于屏幕的穿透性高,一方面可以传输屏幕前面的外部光,从而实现屏下摄像头技术,另一方面可以传输屏幕后面的外部光,从而使得用户可以看到屏幕后方的物体。有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置由于不需要背光源,是一种理想的透明显示设备。主流的顶发射OLED器件,为提高出光率以及色纯度必须采用“半透半反”的阴极层。然而,由于阴极采用开放式掩膜板(Open Mask,OPM)的整面蒸镀,导致屏幕的穿透能力降低。
为提高阴极的穿透能力,可采用阴极减薄或者图案化的方案。对于阴极减薄的方案,会减弱微腔作用,导致出光效率降低,同时色坐标发生偏移,影响屏幕的正常显示效果。而对于阴极图案化的方案,为保证公共接地端电压信号能够输入到每个像素的阴极中,仍然需要每个像素上的阴极用较细的阴极走线连接,因而加大了阴极的压降以及显示的均匀性。因此,如何不影响屏幕的显示效果,又能提高阴极的穿透能力就成了亟需解决的问题。
综上所述,现有透明显示装置存在阴极的光线穿透能力低、显示效果不佳的问题。故,有必要提供一种显示面板、显示装置及其制作方法来改善这一缺陷。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板、显示装置及其制作方法,用于解决现有透明显示装置阴极的光线穿透能力低、显示效果不佳的问题。
本揭示实施例提供一种显示面板,包括:显示区域,所述显示区域包括:发光子区和外部光透射子区;
所述显示面板包括:
阳极,所述阳极设置于所述发光子区内;
发光层,所述发光层设置于所述阳极上,且位于所述发光子区内;
阴极,所述阴极设置于所述发光层远离所述阳极的一侧上,并覆盖所述显示区域;以及
覆盖层,所述覆盖层设置于所述阴极远离所述发光层的一侧上,且所述覆盖层至少覆盖所述发光子区。
根据本揭示一实施例,所述覆盖层仅覆盖所述发光子区。
根据本揭示一实施例,所述覆盖层覆盖所述发光子区和所述外部光透射子区,且位于所述发光子区的所述覆盖层厚度大于位于所述外部光透射子区的所述覆盖层厚度。
根据本揭示一实施例,所述显示面板还包括摄像组件,所述摄像组件设置于所述基板远离所述发光层的一侧上。
本揭示实施例提供一种显示装置,包括如上述的显示面板。
本揭示实施例还提供一种显示装置的制作方法,包括:
提供基板,所述基板包括显示区域,所述显示区域包括:发光子区和外部光透射子区;
在所述基板上依次形成阳极、发光层和阴极;以及
在所述阴极远离所述基板的一侧上蒸镀形成覆盖层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





