[发明专利]一种芯片的互连封装方法及互连封装结构在审
申请号: | 201910673831.8 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110459509A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 滕乙超;魏瑀;刘东亮 | 申请(专利权)人: | 浙江荷清柔性电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/49;H01L21/56 |
代理公司: | 31264 上海波拓知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张媛<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 310000浙江省杭州市经济技术开发*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 互连 封装 通孔 封装结构 打印 多层 基板 层间互连 夹角处 焊盘 孔壁 导电性能 电路布线 电性连接 柔性电子 结合力 打孔 埋置 暴露 | ||
1.一种芯片的互连封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:提供一基板(100),所述基板(100)内埋置有芯片(200);
S2:在所述基板(100)上形成通孔(110),所述通孔(110)使所述芯片(200)的焊盘(210)外露;
S3:在所述芯片(200)上打印多层阶梯(310),所述多层阶梯(310)与所述通孔(110)的孔壁接触设置;
S4:在所述多层阶梯(310)的表面打印导线(320),所述导线(320)分别与所述基板(100)的电路布线和所述芯片(200)的焊盘(210)相连。
2.如权利要求1所述的芯片的互连封装方法,其特征在于,所述步骤S2包括:采用激光刻蚀在所述基板(100)上形成通孔(110);所述步骤S3之后,还包括:采用激光刻蚀所述芯片(200)的焊盘(210)表面。
3.如权利要求1所述的芯片的互连封装方法,其特征在于,所述步骤S3包括:采用非导电介质沿所述通孔(110)的孔壁向远离所述芯片(200)的方向打印所述多层阶梯(310)。
4.如权利要求3所述的芯片的互连封装方法,其特征在于,所述多层阶梯(310)环绕所述通孔(110)的孔壁设置,且靠近所述芯片(200)的阶梯尺寸小于所述通孔(110)的孔径尺寸。
5.如权利要求3所述的芯片的互连封装方法,其特征在于,所述多层阶梯(310)的相邻两层阶梯中,靠近所述芯片(200)的为下一层阶梯,远离所述芯片(200)的为上一层阶梯,所述步骤S3包括:
在所述芯片(200)上打印所述下一层阶梯,对所述下一层阶梯进行固化处理后,在所述下一层阶梯上打印所述上一层阶梯。
6.如权利要求1所述的芯片的互连封装方法,其特征在于,所述通孔(110)的孔径尺寸至少比所述芯片(200)的焊盘(210)尺寸大20%。
7.如权利要求1所述的芯片的互连封装方法,其特征在于,所述通孔(110)的孔径尺寸大于所述导线(320)线宽的3倍,且所述通孔(110)的深度与孔径之比小于等于3。
8.如权利要求1所述的芯片的互连封装方法,其特征在于,所述多层阶梯(310)的每层阶梯的厚度为1μm~20μm,所述多层阶梯(310)的坡度为30度~70度。
9.如权利要求1所述的芯片的互连封装方法,其特征在于,打印导线(320)的材料中掺杂有金属颗粒,所述金属颗粒的直径为0.1μm~10μm。
10.如权利要求1-9任一项所述的芯片的互连封装方法,其特征在于,所述导线(320)的线宽为所述芯片(200)的焊盘(210)尺寸的60%~80%。
11.一种芯片互连封装结构,其特征在于,包括基板(100)和芯片(200),所述芯片(200)通过权利要求1-10任一项所述的方法封装于所述基板(100)。
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