[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置可包括第一金属间电介质(IMD)层、第一IMD层上的第一阻挡层、金属布线和第二阻挡层。第一金属间电介质(IMD)层可形成在衬底上，第一IMD层可包括介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。第一阻挡层可形成在第一IMD层上。第一阻挡层可包括介电常数高于第一IMD层的介电常数的氧化物。金属布线可穿过第一IMD层和第一阻挡层。第二阻挡层可形成在金属布线和第一阻挡层上。第二阻挡层可包括氮化物。第一阻挡层和第二阻挡层可减少或防止气体排出，从而半导体装置可具有良好特性。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年7月24日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0085690的优先权，该申请的内容以引用方式全文并入本文中。

技术领域

示例实施例涉及一种半导体装置。更具体地说，示例实施例涉及一种包括布线结构的半导体装置。

背景技术

在半导体装置中，金属布线之间的绝缘隔层可形成为低k电介质层，以减小寄生电容。包括在低k电介质层中的一些材料可能在高温处理期间作为气体排出，因此可由于气体排出而发生半导体装置的故障。

发明内容

示例实施例提供了一种具有改进的特性的半导体装置。

根据示例实施例，提供了一种半导体装置。半导体装置可包括第一金属间电介质(IMD)层、第一IMD层上的第一阻挡层、金属布线和第二阻挡层。第一金属间电介质(IMD)层可形成在衬底上，第一IMD层可包括介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。第一阻挡层可形成在第一IMD层上。第一阻挡层可包括介电常数高于第一IMD层的介电常数的氧化物。金属布线可穿过第一IMD层和第一阻挡层。第二阻挡层可形成在金属布线和第一阻挡层上。第二阻挡层可包括氮化物。

根据示例实施例，提供了一种半导体装置。半导体装置可包括下布线结构、第一金属间电介质(IMD)层、金属布线、阻挡层结构、第二IMD层和过孔接触件。下布线结构可包括衬底上的下金属间电介质(IMD)层和穿过下IMD层的下金属布线。下IMD层可包括介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。下金属布线可包括金属。第一IMD层可形成在下布线结构上。第一IMD层可包括介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。金属布线可穿过第一IMD层。阻挡层结构可形成在第一IMD层和金属布线上。阻挡层结构可包括第一阻挡层和第二阻挡层。第一阻挡层可包括介电常数高于第一IMD层的介电常数的材料，第二阻挡层可包括介电常数高于第一阻挡层的介电常数的材料。第二IMD层可形成在第二阻挡层上。第二IMD层可包括介电常数高于第一IMD层的介电常数的材料。金属布线上的过孔接触件可穿过第二IMD层和第二阻挡层。

根据示例实施例，提供了一种半导体装置。半导体装置可包括下布线结构、第一金属间电介质(IMD)层、金属布线、阻挡层结构、第二IMD层、过孔接触件、上金属图案和上绝缘隔层。下结构可包括衬底上的晶体管。第一IMD层可形成在下结构上。第一IMD层可包括介电常数低于氧化硅的介电常数低k材料。金属布线可穿过第一IMD层。阻挡层结构可形成在第一IMD层和金属布线上。阻挡层结构可包括第一阻挡层和第二阻挡层。第一阻挡层可包括介电常数高于第一IMD层的介电常数的材料，并且第二阻挡层可包括介电常数高于第一阻挡层的介电常数的材料。第二IMD层可形成在阻挡层结构上。过孔接触件可形成在金属布线上，所述过孔接触件穿过第二IMD层和第二阻挡层。上金属图案可形成在过孔接触件上。上绝缘隔层可覆盖上金属图案。

在示例实施例中的半导体装置中，可通过第一阻挡层和第二阻挡层减少包括在低k电介质层中的材料作为气体排出。因此，半导体装置可具有良好特性。

附图说明

将从下面结合附图的详细描述中更清楚地理解示例实施例。图1至图21代表本文所述的非限制性示例实施例。

图1是示出根据示例实施例的半导体装置的截面图；