[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底上的第一金属间电介质层，所述第一金属间电介质层包括介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料；

第一阻挡层，其位于所述第一金属间电介质层上，所述第一阻挡层包括介电常数高于所述第一金属间电介质层的介电常数的氧化物；

金属布线，其穿过所述第一金属间电介质层和所述第一阻挡层；以及

第二阻挡层，其位于所述金属布线和所述第一阻挡层上，所述第二阻挡层包括氮化物。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属间电介质层包括含碳和氢的硅氧化物(SiCOH)、掺有氟的氧化硅(F-SiO₂)或者多孔氧化硅。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一金属间电介质层包括10％至50％的碳。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属间电介质层的厚度大于所述第一阻挡层的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一阻挡层包括氧化硅。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一阻挡层包括利用TEOS(四乙基原硅酸酯)作为源而形成的氧化硅。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一阻挡层包括介电常数为3.9至4.5的绝缘材料。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二阻挡层包括介电常数高于所述第一阻挡层的介电常数的绝缘材料。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二阻挡层包括无碳的硅氮化物。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述金属布线包括铜。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述金属布线包括接触插塞和所述接触插塞上的金属图案，并且，其中所述第一阻挡层接触所述金属图案的上侧壁。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第二金属间电介质层，其位于所述第二阻挡层上，所述第二金属间电介质层包括介电常数高于所述第一金属间电介质层的介电常数的材料；以及

过孔接触件，其穿过所述第二金属间电介质层和所述第二阻挡层接触所述金属布线。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述过孔接触件包括与所述金属布线的金属不同的金属。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，还包括：

上金属图案，其位于所述过孔接触件上，所述上金属图案包括与所述金属布线的金属不同的金属；以及

上绝缘隔层，其覆盖所述上金属图案。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

下金属间电介质层，其位于所述衬底与所述第一金属间电介质层之间，所述下金属间电介质层包括介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料；以及

至少一个下布线结构，其包括穿过所述下金属间电介质层的下金属布线，

其中，所述至少一个下布线结构形成在所述衬底上，并且

其中，在所述至少一个下布线结构包括一个下布线结构的情况下，所述一个下布线结构堆叠，并且，在所述至少一个下布线结构包括多个下布线结构的情况下，所述多个下布线结构按照多层堆叠。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，在所述至少一个下布线结构包括多个下布线结构的情况下，所述半导体装置还包括所述下布线结构之间的蚀刻停止层，其中，所述蚀刻停止层形成在所述下金属间电介质层和所述下金属布线上，并且所述蚀刻停止层包括SiCN。