[发明专利]一种GIP电容结构及制作方法

说明书

一种GIP电容结构及制作方法，本结构包括依次排布的基层、栅极层GE、栅极绝缘层GI、阻隔层ES、电极层SD、钝化层PV、第三电极层CM，所述第三电极层的部分穿透钝化层PV、阻隔层ES、栅极绝缘层GI，与栅极层GE连接，电极层SD与第三电极层CM不接触，电极层SD与第三电极层CM不接触。上述方案在兼容原有制程下，利用TIC结构的触控电极CM Layer与SD电极间形成第二存储电容，原有的C1与C2并联，Cox＝C1+C2。可提升容值，或者有效减小电容的面积的效果，若原有7T2C GIP电路设计中，实现窄边框。

技术领域

本发明涉及新的GIP电路的电容结构设计，尤其涉及一种GIP电容结构的制作方法。

背景技术

IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT-LCD。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。

窄边框，可以获得更大的占屏比，视觉效果更佳。采用窄边框设计可以使机身的厚度和重量降低，更具便携性。同时边框变窄会催生其他产品细节的改变。随着消费者在性能和便携上的追求变高，如何缩小屏幕的边框无疑成为新的讨论热点。

In-Cell触摸屏将触摸线路直接制作在面板(Cell)的前后导电玻璃之间，成为In-Cell。其特点有：更佳透光率、较薄、窄边款设计、sensor ITO位于LCD内部，跌落后Lens破裂后不影响触控功能。GIP电路能够取代传统配线，以达到窄边框设计。适用于高分辨率，高PPI设计。并且因为输出线的数量减少，IC Size较小能够减少成本。电容在GIP区域占据较大的位置。提升电容的容值，可实现电容的面积减小，有利于进一步减小边框。

发明内容

因此，需要提供一种新的GIP面板上的大电容结构，达到在面板使用时面积减小，便于布线的技术效果。

为实现上述目的，发明人提供了一种GIP电容结构，包括依次排布的基层、栅极层GE、栅极绝缘层GI、阻隔层ES、电极层SD、钝化层PV、第三电极层CM，所述第三电极层的部分穿透钝化层PV、阻隔层ES、栅极绝缘层GI，与栅极层GE连接，电极层SD与第三电极层CM不接触，电极层SD与第三电极层CM不接触。

一种GIP电容结构，包括依次排布的基层、栅极层GE、栅极绝缘层GI、阻隔层ES、电极层SD、钝化层PV、第三电极层CM、公共电极层BC，公共电极层的部分穿透钝化层PV、阻隔层ES、栅极绝缘层GI，与栅极层GE连接，另一部分与第三电极层CM连接，电极层SD与第三电极层CM不接触，电极层SD与第三电极层CM不接触。

一种GIP电容结构的制作方法，准备前体，所述前体包括依次排布的基层、栅极层GE、栅极绝缘层GI、阻隔层ES、电极层SD；

在前体上制作钝化层PV，然后在GIP区打孔至暴露GE栅极层，在OC制程时显影出平坦化层OC的OC孔；在CM制程GIP区设计图形形成第三电极，与SD形成第二存储电容。

一种GIP电容结构的制作方法，准备前体，所述前体包括依次排布的基层、栅极层GE、栅极绝缘层GI、阻隔层ES、电极层SD、钝化层PV；

在前体上制作平坦化层OC，然后显影暴露出平坦化层OC的OC孔；在OC孔内，PV层上方形成CM电极，再VA挖孔以实现电极间搭接，通过VA浅孔，BC与CM搭接，再制作VA层，蚀刻VA浅孔，露出CM电极，蚀刻VA深孔，露出GE电极，制作公共电极层BC，BC层穿过浅孔与CM搭接，在VA深孔中BC与GE搭接。

区别于现有技术，上述方案在兼容原有制程下，利用TIC结构的触控电极CM Layer与SD电极间形成第二存储电容，原有的电容C1与电容C2并联，Cox＝C1+C2。可提升容值，或者有效减小电容的面积的效果，若原有7T2C GIP电路设计中，实现窄边框。