[发明专利]用于驱动晶体管器件的方法和电子电路

说明书

公开了一种用于驱动晶体管器件的方法和电子电路。该方法包括：在晶体管器件(1)的导通状态下，将晶体管器件(1)的驱动电压(V_GS)从最大电压电平(V_MAX)降至高于晶体管器件(1)的阈值电压电平(V_TH)的中间电压电平(V_INT)；在预定时间段(T_INT)内保持中间电压电平(V_INT)；以及在预定时间段(T_INT)之后将驱动电压(V_GS)降至阈值电压电平(V_TH)以下，以将晶体管器件切换到截止状态。

技术领域

本公开总体上涉及用于驱动晶体管器件的方法以及具有被配置为驱动晶体管器件的驱动电路的电子电路。

背景技术

晶体管器件(诸如MOSFET(金属氧化物场效应晶体管))被广泛用作各种类型的应用(诸如汽车、工业、家庭或消费电子应用)中的电子开关。不可避免地，包括用作电子开关的晶体管器件的电子电路进一步包括与晶体管器件的负载路径串联的寄生电感。这种寄生电感可源于将晶体管器件连接至电子电路中的其他器件的连接线。当晶体管器件从其传导电流的导通状态切换到其阻塞的截止状态时，寄生电感可引起晶体管器件的负载路径电压的电压尖峰。

期望减少这种电压尖峰。

发明内容

一个示例涉及一种方法。该方法包括：在晶体管器件的导通状态中，将晶体管器件的驱动电压从最大电压电平降至高于晶体管器件的阈值电压电平的中间电压电平，并且在预定时间周期内保持中间电压电平。该方法进一步包括：在预定时间周期之后，将驱动电压降至阈值电压电平以下，以将晶体管器件切换到截止状态。

另一示例涉及一种具有驱动电路的电子电路。该驱动电路被配置为：在晶体管器件的导通状态下，将晶体管器件的驱动电压从最大电压电平降至高于晶体管器件的阈值电压电平(V_TH)的中间电压电平，在预定时间周期内保持中间电压电平，并且在预定时间周期之后将驱动电压降至阈值电压电平以下，以将晶体管器件切换到截止状态。

附图说明

下面参考附图解释示例。这些附图用于示出特定原理，使得仅示出用于理解这些原理所需的方面。附图没有按比例绘制。在附图中，相同的参考标号表示相似的特征。

图1示出了包括晶体管器件和被配置为驱动该晶体管器件的驱动电路的电子电路的一个示例；

图2A-图2C示出了晶体管器件如何可连接至至少一个负载的不同示例；

图3A-图3B示出了晶体管器件是半桥的两个晶体管器件中的一个的不同示例；

图4是示出了用于驱动晶体管器件的方法的一个示例的流程图；

图5示出了根据图4的方法驱动的晶体管器件和以常规方式驱动的晶体管器件的导通电阻、负载路径电压和驱动电压的时序图；

图6示出了包括控制电路、接通电路和断开电路的驱动电路的一个示例；

图7示出了图6所示驱动电路中出现的信号的信号图的示例；

图8示出了接通电路的一个示例；

图9示出了断开电路的一个示例；

图10示出了图9所示断开电路中出现的信号的信号图的示例；

图11示出了中间电压电路和断开电路的放电电路的一个示例；

图12A-图12B示出了中间电压发生电路的不同示例；

图13A-图13B示出了中间电压发生电路的进一步示例；

图14示出了中间电压发生电路的又一示例；