[发明专利]用于驱动晶体管器件的方法和电子电路

权利要求书

1.一种方法，包括：

在晶体管器件(1)的导通状态下，将所述晶体管器件(1)的驱动电压(V_GS)从最大电压电平(V_MAX)降至高于所述晶体管器件(1)的阈值电压电平(V_TH)的中间电压电平(V_INT)；

在预定时间段(T_INT)内保持所述中间电压电平(V_INT)；以及

在所述预定时间段(T_INT)之后将所述驱动电压(V_GS)降至所述阈值电压电平(V_TH)以下，以将所述晶体管器件切换到截止状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其中从0.1纳秒和10纳秒之间的范围中选择所述预定时间段(T_INT)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中在所述预定时间段(T_INT)期间，所述中间电压电平(V_INT)从较高中间电压电平(V_{INT_H})降至较低中间电压电平(V_{INT_L})，

其中所述较高中间电压电平(V_{INT_H})小于所述较低中间电压电平(V_{INT_L})的1.3倍。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中所述晶体管器件(1)包括与所述中间电压电平(V_INT)相关联的中间负载路径电阻(R_{DS_INT})，

其中选择所述中间电压(V_INT)，使得所述中间负载路径电阻在0.01欧姆和1000欧姆之间。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中至少一个寄生电感与所述晶体管器件(1)串联连接，并且寄生电容与所述晶体管器件的负载路径并联连接，

其中所述晶体管器件包括与所述中间电压电平(V_INT)相关联的中间负载路径电阻(R_{DS_INT})，并且

其中选择所述中间电压(V_INT)，使得所述中间负载路径电阻由以下等式给出：

其中Lp_TOT是与所述晶体管器件(1)串联连接的所述至少一个寄生电感的电感值，C_DS是所述寄生电容的电容值，并且c是从0.01和100之间选择的比例系数。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括：

测量通过所述晶体管器件(1)的负载电流(I_DS)；以及

根据测量的所述负载电流(I_DS)从多个中间电压中选择所述中间电压(V_INT)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中保持所述中间电压(V_INT)包括：激活连接在所述晶体管器件(1)的驱动节点(G、S)之间的中间电压电路(6)，并且

其中所述中间电压电路(6)包括中间电压生成电路(62)以及与所述中间电压生成电路(62)串联连接的电子开关(61)。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中所述中间电压生成电路(62)包括至少一个二极管(621；621₁-621_n；622₁-622_n)。

9.根据权利要求7或8所述的方法，

其中将所述驱动电压(V_GS)降至所述阈值电压电平以下包括：激活连接在所述晶体管器件(1)的所述驱动节点(G、S)之间的放电电路。