[发明专利]一种微/纳米二硫化钼的制备方法有效
申请号: | 201910659583.1 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN110436525B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 张晓;崔玉青;张菊平;席莎;唐军利;唐丽霞;刘东新 | 申请(专利权)人: | 金堆城钼业股份有限公司 |
主分类号: | C01G39/06 | 分类号: | C01G39/06;B82Y40/00 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 杜娟 |
地址: | 710077 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 二硫化钼 制备 方法 | ||
本发明公开了一种微/纳米二硫化钼的制备方法,具体为:首先,将三氧化钼与硫粉干燥冷却后装入球磨罐中,再加入钼球,在惰性气氛保护下进行高能球磨,在装入硫化舟中,在管式炉中进行硫化;之后装入敞口料舟中,在管式炉中进行脱硫,最后筛分,即可得到微/纳米二硫化钼。本发明方法制备二硫化钼工艺流程短,反应温度低、效率高,得到的二硫化钼粒度不大于0.2μm、纯度不小于99.5%。
技术领域
本发明属于粉末材料制备技术领域,具体涉及一种微/纳米二硫化钼的制备方法。
背景技术
微/纳米二硫化钼具有非常小的尺度、大的比表面积。与固体级的二硫化钼相比,其微/纳米级的结构使二硫化钼材料具有了块体材料所不可比拟的优势,表现在微/纳米尺度的二硫化钼结构暴露出更多的反应活性位,从而具有更好的催化反应活性,尤其在石油催化加氢脱硫、脱氮等方面。另外,微/纳米级的二硫化钼也可用作催化材料与储氢材料,二硫化钼层间的能带间隔与可见光能量匹配,是非常好的光电池材料。在固体润滑方面,微/纳米级的二硫化钼具有较小的尺寸和吸附黏着力,使其在摩擦过程中能够更好地与摩擦面结合,显著提高表面附着性与覆盖度,对于提高其摩擦润滑性能具有非常重要的意义。
然而,微/纳米尺度的二硫化钼存在易团聚、不稳定等缺点,影响了其催化性能的进一步提高。因此,如何制备具有稳定结构、不易团聚的二硫化钼微/纳米结构成为了目前研究的热点。在各类合成方法中,化学法,分类多、使用范围广、易调变和控制,是目前应用最多的制备方法。
将硫化氢气体通入钼酸铵溶液制的硫代钼酸铵中,酸化后得到三硫化钼,在隔绝空气的高温下脱硫,使三硫化钼转化成二硫化钼产品。也有将(NH4)2S代替H2S制取二硫化钼的工艺。其方法是:首先合成四硫代钼酸铵,即将钼酸铵溶液与硫化铵溶液反应,获得暗红色四硫代钼酸铵,之后将四硫代钼酸铵于氮气中,并在高温下热解得二硫化钼,其平均粒径为0.8μm。该生产工艺的特点是产品纯度高,颗粒细小,但二硫化钼的形态是MoSx(x为0.8~2.8),呈斜方晶型,不如天然法生产的二硫化钼呈六方晶型好,制成的润滑剂性能也较差。合成法生产的高纯二硫化钼纯度高,比表面积极大,吸附能力更强,反应活性高,催化性能尤其是催化氢化脱硫的性能更强,适于石化行业应用。与天然法相比,合成法的工艺流程长,生产成本较高,操作难度大。
高温硫化法,在管式炉中加热MoO3至850℃左右,添加不同的硫源,制得了二硫化钼富勒烯纳米粒子和纳米管,该方法影响因素多、不容易精确调控。
Mo与S在密封正压气氛炉中750℃左右反应制备MoS2,产物性能良好,但设备要求高,不能实现连续化生产,制备过程控制严苛。
模板法是一种常用的制备纳米材料的方法,是将具有纳米结构且形状容易控制的物质作为模板,通过物理或者化学方法将相关的材料沉积到模板的孔中或表面上,而后移去模板,得到具有模板样的规范形貌与尺寸的纳米材料的过程。模板法的优点是合成过程简单,适合批量生产,容易精确调控,是目前公认的合成纳米材料的最理想方法之一,但是后期移去模板,增加了工艺工程和成本。
发明内容
本发明的目的是提供一种微/纳米二硫化钼的制备方法,解决了现有技术中制备得到的二硫化钼纯度低、粒度大的问题。
本发明所采用的技术方案是,一种微/纳米二硫化钼的制备方法,具体按照以下步骤实施:
步骤1,将三氧化钼与硫粉干燥冷却后装入球磨罐中,再加入钼球,在惰性气氛保护下进行高能球磨,得到复合粉末;
步骤2,将经步骤1后得到的复合粉末装入硫化舟中,在管式炉中进行硫化;
步骤3,将经步骤2硫化后得到的二硫化钼与残余硫的混合粉末进行筛分,之后装入敞口料舟中,在管式炉中进行脱硫;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金堆城钼业股份有限公司,未经金堆城钼业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910659583.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。