[发明专利]具有垂直栅极结构的存储装置有效
申请号: | 201910654285.3 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN111799277B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 赖二琨;龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H10B43/40 | 分类号: | H10B43/40;H10B43/27;H01L29/423 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 垂直 栅极 结构 存储 装置 | ||
1.一种存储装置,其特征在于,包含:
多个位线叠层,位于一基板上的一绝缘层上方,该多个位线叠层与多个绝缘条带交错;
多个垂直栅极结构,设置于该多个位线叠层之间;
多个垂直通道结构与多个存储器元件,设置于该多个垂直栅极结构的多个外表面与该多个位线叠层中的这些绝缘条带的多个侧壁之间,这些垂直通道结构提供多个通道,这些通道介于该多个位线叠层中的多条相邻位线之间;
多个字线晶体管,分别设置于该多个垂直栅极结构上方且分别连接至该多个垂直栅极结构;以及
多条字线,设置于该多个字线晶体管上方且连接至该多个字线晶体管。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其中该多个位线叠层被多个沟道分开,这些沟道具有一第一宽度,该存储装置还包含:
多个绝缘结构,使这些沟道中的该多个垂直栅极结构、这些垂直通道结构与这些存储器元件分开,
其中这些绝缘结构具有一第二宽度,该第二宽度大于该第一宽度。
3.根据权利要求1所述的存储装置,其中该多个字线晶体管包含多个字线晶体管通道结构,这些字线晶体管通道结构的多个下端分别连接该多个垂直栅极结构,且这些字线晶体管通道结构的多个上端分别连接多个着陆垫,该多条字线通过接至这些着陆垫的多个接点而连接至该多个字线晶体管。
4.根据权利要求3所述的存储装置,其中该多个垂直栅极结构具有一第三宽度,且这些字线晶体管通道结构具有一第四宽度,该第四宽度小于该第三宽度。
5.根据权利要求1所述的存储装置,还包含:
一电路,连接至该多个位线叠层中的多条位线以施加一位线电压与一源极线电压于这些位线。
6.根据权利要求5所述的存储装置,其中该位线电压为一漏极侧电压,且该源极线电压为一源极侧电压。
7.根据权利要求5所述的存储装置,其中
该电路装配以选择一特定存储单元,该特定存储单元设置于一特定垂直栅极结构与一特定位线叠层中的一特定绝缘条带的一侧壁之间的一交叉点,该特定绝缘条带设置于该特定位线叠层中的一第一位线与一第二位线之间且接触该第一位线与该第二位线,其中选择该特定存储单元包含:
打开连接至该特定垂直栅极结构的一特定字线晶体管;
施加一字线电压于一特定字线,该特定字线连接至该特定字线晶体管;
施加该位线电压于该特定位线叠层中的该第一位线;以及
施加该源极线电压于该特定位线叠层中的该第二位线。
8.根据权利要求7所述的存储装置,包含当施加该位线电压与该源极线电压时,使该特定位线叠层中除了该第一位线与该第二位线以外的多条其他位线浮接。
9.根据权利要求7所述的存储装置,其中该第一位线与该第二位线设置于该多个位线叠层的一顶阶层之下的多个阶层。
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