[发明专利]图像传感器及其制造方法以及成像装置

说明书

本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。提供了一种图像传感器，包括：像素；以及位于相邻像素之间的隔离结构，所述隔离结构被配置成将从所述隔离结构的外部入射到所述隔离结构的辐射中的超过50％的辐射能量的辐射反射到所述隔离结构的外部。

技术领域

本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。

背景技术

图像传感器可用于对辐射(例如，光辐射，包括但不限于可见光、红外线、紫外线、X射线等)进行感测，从而生成对应的电信号(例如，图像)。它被广泛地应用在数码相机、移动通信终端、安保设施和其他成像设备中。

在图像传感器中的相邻像素之间，在一个像素中传播的辐射中的一部分辐射可能会传播到另一个像素，从而造成辐射串扰并降低成像质量。为了减小这种辐射串扰，需要在相邻像素之间形成隔离结构。然而，隔离结构可能会引入新的问题。因此，存在对于新的技术的需求。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种图像传感器，包括：像素；以及位于相邻像素之间的隔离结构，所述隔离结构被配置成将从所述隔离结构的外部入射到所述隔离结构的辐射中的超过50％的辐射能量的辐射反射到所述隔离结构的外部。

根据本公开的另一个方面，提供了一种成像装置，包括：上述图像传感器；和透镜，用于将外部辐射会聚并引导到所述图像传感器上。

根据本公开的另一个方面，提供了一种用于制造图像传感器的方法，包括：提供衬底；在所述衬底中形成辐射感测元件；形成包括所述辐射感测元件的像素；以及在所述衬底上在相邻像素之间形成隔离结构，所述隔离结构被形成为将从所述隔离结构的外部入射到所述隔离结构的辐射中的超过50％的辐射能量的辐射反射到所述隔离结构的外部。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得更为清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。

图2是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。

图3是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。

图4是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意性剖面图。

图5是示出本公开的一些实施例的图像传感器的制造方法的流程图。

图6是示出了与图5所示的制造方法的部分步骤对应的图像传感器的示意剖面图。

图7是示出了与图5所示的制造方法的部分步骤对应的图像传感器的示意剖面图。

图8是示出了与图5所示的制造方法的部分步骤对应的图像传感器的示意剖面图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在一些情况中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，本公开并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

下面将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。