[发明专利]图像传感器及其制造方法以及成像装置在审
| 申请号： | 201910648994.0 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110335880A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 方欣欣;夏春秋;北村阳介;方明旭 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张荣海 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离结构 图像传感器 成像装置 辐射反射 辐射能量 相邻像素 外部 入射 像素 制造 辐射 配置 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
像素；以及
位于相邻像素之间的隔离结构，所述隔离结构被配置成将从所述隔离结构的外部入射到所述隔离结构的辐射中的超过50％的辐射能量的辐射反射到所述隔离结构的外部。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，
所述隔离结构包括被配置成对所述辐射进行反射的反射部。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，
所述隔离结构还包括覆盖所述反射部的侧面和上表面的保护层。
4.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，
所述反射部的表面由以下中的至少一个形成：金属、无机盐、微米或纳米多孔结构、以及有机材料。
5.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，
所述反射部的表面由金属形成，所述金属包括以下金属中的一个或由以下金属中的至少两个组成的合金：铝、银、铜、金、铁、钼、镍、铬、锡、以及铑。
6.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，
所述反射部的内部包含与所述反射部的表面的材料不同的材料。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，
所述反射部的内部包含钨。
8.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，
所述反射部的内部包含电介质材料。
9.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，
所述保护层包含电介质材料。
10.根据权利要求8或9所述的图像传感器，其特征在于，
所述电介质材料包含以下材料中的一个或多个：正硅酸乙酯、氧化硅以及氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
