[发明专利]晶圆级封装芯片通孔互连的方法以及芯片的测试方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一芯片；在所述第一芯片上形成有具有第一开口的钝化层，以露出所述第一芯片上的第一焊垫；

在所述第一芯片上涂覆聚合物层并固化所述聚合物层，以填充所述第一开口；

提供器件晶圆，将形成了所述聚合物层的所述第一芯片接合在所述器件晶圆上；

蚀刻所述器件晶圆和所述聚合物层，以形成第一通孔，露出所述第一焊垫；

在所述第一通孔中形成插塞以与所述第一焊垫电连接。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，所述聚合物层包括聚酰亚胺、聚对苯撑苯并二噁唑。

3.根据权利要求1所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，所述聚合物层包括可光刻的光敏性聚合物。

4.根据权利要求1所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，对所述聚合物层进行加热烘烤，以固化所述聚合物层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物层的厚度为5-10微米。

6.根据权利要求1所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，在将所述聚合物层接合在所述器件晶圆上之前，还包括在第一开口的所述聚合物层内制作第二通孔，以暴露所述第一焊垫，所述第二通孔口径小于所述第一通孔口径。

7.根据权利要求1所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，所述提供第一芯片包括：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成有所述第一芯片。

8.根据权利要求7所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，在将所述第一芯片和所述器件晶圆接合之前，所述方法还包括：

将所述第一晶圆切割，以得到包含所述第一芯片的数个晶粒，将包含所述第一芯片的晶粒接合至所述器件晶圆的第一表面上。

9.根据权利要求8所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，蚀刻所述器件晶圆之前，所述方法还包括：

在所述器件晶圆的第一表面上形成注塑层，以覆盖所述第一芯片和所述器件晶圆的第一表面；

和/或翻转所述器件晶圆。

10.根据权利要求1所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在将形成了聚合物层的所述第一芯片接合在所述器件晶圆上之后，对所述器件晶圆执行减薄工艺。

11.根据权利要求1所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，蚀刻所述器件晶圆包括：

形成掩膜层并以所述掩膜层为掩膜，干法蚀刻所述器件晶圆，以形成第一通孔，露出所述第一焊垫。

12.根据权利要求1所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，通过芯片连接薄膜和干膜中的至少一种，将形成了聚合物层的所述第一芯片接合在所述器件晶圆上。

13.根据权利要求1所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，形成所述插塞之后所述方法还包括：

形成再分布互连结构，电连接所述插塞，其中，所述再分布互连结构包括再布线层和焊盘，或者，包括焊盘。

14.根据权利要求1所述的晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，在所述第一通孔中形成种子层，以覆盖所述第一通孔的表面；

执行电镀工艺，以在所述第一通孔中沉积导电材料，以形成所述插塞。