[发明专利]彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板在审

专利信息
申请号: 201910640625.7 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN110426905A 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 于承忠 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 色阻层 平坦层 保护层 彩膜 开孔结构 阵列基板 制备 薄膜晶体管阵列结构 透明导电层 源漏金属层 开孔 电性连接 开口率 基板 制程 开口 贯通 覆盖 贯穿 申请 开发
【权利要求书】:

1.一种彩膜阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供一基板;

在所述基板上形成薄膜晶体管阵列结构层,所述薄膜晶体管阵列结构层包括源漏金属层;

在所述薄膜晶体管阵列结构层上形成一保护层;

在所述保护层上形成色阻层;

在所述色阻层上形成平坦层;

在所述平坦层、色阻层和保护层上形成开孔结构,所述开孔结构同时贯穿所述平坦层、所述色阻层和所述保护层且裸露出所述源漏金属层;

在所述平坦层上形成透明导电层,所述透明导电层覆盖所述开孔结构并与所述源漏金属层电性连接。

2.根据权利要求1所述的彩膜阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述平坦层、色阻层和保护层上形成开孔结构,包括以下步骤:

在所述平坦层形成第一开孔;

在所述色阻层和所述保护层上对应于所述第一开孔的区域形成第二开孔,所述第二开孔贯穿所述色阻层和所述保护层且裸露出所述源漏金属层,所述第一开孔和第二开孔形成所述开孔结构。

3.根据权利要求2所述的彩膜阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一开孔采用光刻工艺形成;所述第二开孔采用干法刻蚀形成。

4.根据权利要求3所述的彩膜阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一开孔和所述第二开孔采用同一光罩形成。

5.根据权利要求1所述的彩膜阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述平坦层、色阻层和保护层上形成开孔结构的步骤中,采用干法刻蚀工艺一次形成所述开孔结构。

6.根据权利要求1所述的彩膜阵列基板的制备方法,其特征在于,所述保护层为无机材料层。

7.根据权利要求1所述的彩膜阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述基板上形成薄膜晶体管阵列结构层,包括以下步骤:

在所述基板上形成栅极金属层;

在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层;

在所述栅极绝缘层上形成有源层;

在所述有源层上形成欧姆接触层;

在所述欧姆接触层上形成所述源漏金属层。

8.一种彩膜阵列基板,其特征在于,包括:

基板;

薄膜晶体管阵列结构层,设置在所述基板上,所述薄膜晶体管阵列结构层包括源漏金属层;

保护层,设置在所述薄膜晶体管阵列结构层上;

色阻层,设置在所述保护层上;

平坦层,设置在所述色阻层上;

开孔结构,贯穿所述平坦层、色阻层和保护层,且裸露出所述源漏金属层;以及

透明导电层,设置在所述平坦层上并覆盖所述开孔结构,所述透明导电层电性连接所述源漏金属层。

9.根据权利要求8所述的彩膜阵列基板,其特征在于,所述平坦层上开设有第一开孔;所述色阻层和保护层上开设有第二开孔;所述第一开孔和所述第二开孔形成所述开孔结构;

所述第二开孔包括上部分和下部分,所述上部分的孔壁由所述色阻层形成,所述下部分的孔壁由所述保护层形成;所述第一开孔的孔壁由所述平坦层形成。

10.根据权利要求9所述的彩膜阵列基板,其特征在于,所述第一开孔采用光刻工艺形成;所述第二开孔采用干法刻蚀形成。

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