[发明专利]SRAM电路及其操作方法

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器(SRAM)电路，包括：

以行和列布置并且组织成存储器单元的多个块，每个块包括存储器单元的多个行和存储器单元的多个列，每个行包括多个存储器单元，每个列包括多个存储器单元，所述多个块包括第一块和第二块；

多个位线，可操作地且分别地连接到相应的块的所述多个列；

多个列选择电路，每个所述列选择电路可操作地连接到相应的块的所述多个位线中的每个；

第一字线对，所述第一字线对中的两条字线分别可操作地连接到所述第一块和所述第二块中的每个的第一行存储器单元的第一子集和第二子集；以及

第二字线对，所述第二字线对中的两条字线分别可操作地连接到所述第一块和所述第二块的中的每个的第二行存储器单元的第一子集和第二子集；

其中，当激活所述第一字线对中的一条字线并且同时激活所述第二字线对中的一条字线时，基于被激活的第一块的第一位线和第二块的第二位线，选择分别位于第一行和第二行的所述第一块中的相应一个存储器单元和第二块中的相应一个存储器单元。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器电路，其中，所述第一行存储器单元的第一子集和所述第一行存储器单元的第二子集包括所述第一行存储器单元中的所有存储器单元。

3.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器电路，其中，所述第一行存储器单元的第一子集插入在所述第一行存储器单元的第二子集中的存储器单元之间。

4.根据权利要求3所述的静态随机存取存储器电路，其中：

所述第一行存储器单元的第一子集包括第一存储器单元；

所述第一行存储器单元的第二子集包括紧邻所述第一存储器单元的第二存储器单元；

所述第一存储器单元中的第一存取晶体管可操作地连接到所述第一字线对中的第一字线；

所述第一存储器单元中的第二存取晶体管可操作地连接到所述第一字线对中的第二字线；

所述第二存储器单元中的第一存取晶体管可操作地连接到所述第一字线对中的第二字线；并且

所述第二存储器单元中的第二存取晶体管可操作地连接到所述第一字线对中的第一字线。

5.根据权利要求3所述的静态随机存取存储器电路，其中：

所述第一行存储器单元的第一子集包括第一存储器单元；

所述第一行存储器单元的第二子集包括紧邻所述第一存储器单元的第二存储器单元；

所述第一存储器单元中的第一存取晶体管可操作地连接到所述第一字线对中的第一字线；

所述第一存储器单元中的第二存取晶体管可操作地连接到所述第一字线对中的第一字线；

所述第二存储器单元中的第一存取晶体管可操作地连接到所述第一字线对中的第二字线；并且

所述第二存储器单元中的第二存取晶体管可操作地连接到所述第一字线对中的第二字线。

6.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器电路，还包括：

至少一个x解码器电路，可操作地连接到所述第一字线对和所述第二字线对；以及

列选择电路，可操作地连接到所述行中的部分存储器单元。

7.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器电路，其中，每个存储器单元包括六晶体管存储器单元。

8.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器电路，其中，所述静态随机存取存储器电路包括单端口静态随机存取存储器电路。