[发明专利]高电子迁移率晶体管

说明书

本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含一缓冲层、一载流子传输层、一载流子供应层、一栅极、一源极电极以及一漏极电极。缓冲层位于一基底上。载流子传输层位于缓冲层上。载流子供应层位于载流子传输层上。栅极位于载流子供应层上。源极电极以及漏极电极位于栅极的相对两侧，其中源极电极以及漏极电极都包含由下而上堆叠的一导电层以及一导电氧化层。

技术领域

本发明涉及一种高电子迁移率晶体管，且特别是涉及一种具有多层材质的源漏极电极的高电子迁移率晶体管。

背景技术

高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽带隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(highpiezoelectric and piezoresistive coefficients)等。上述优点使高电子迁移率晶体管可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通讯元件等应用的元件的制作。

高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistor,HEMT)也是场效应晶体管的一种，它使用两种具有不同带隙的材料形成异质结作为载流子通道，而不像金属氧化物半导体场效晶体管那样，直接使用掺杂的半导体而不是异质结来形成导电通道。其中，砷化镓、砷镓铝三元化合物半导体是构成这种装置的可选材料，当然根据具体的应用场合，可以有其他多种组合。例如，含铟的装置可表现出更好的高频性能，而近年来发展的氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性吸引了大量关注。

发明内容

本发明提出一种高电子迁移率晶体管，其源极电极以及漏极电极都包含由下而上堆叠的一导电层以及一导电氧化层，其中导电氧化层取代常用的金，因而能降低制作工艺成本又能维持电极的低接触阻抗。

本发明提供一种高电子迁移率晶体管，包含一缓冲层、一载流子传输层、一载流子供应层、一栅极、一源极电极以及一漏极电极。缓冲层位于一基底上。载流子传输层位于缓冲层上。载流子供应层位于载流子传输层上。栅极位于载流子供应层上。源极电极以及漏极电极位于栅极的相对两侧，其中源极电极以及漏极电极都包含由下而上堆叠的一导电层以及一导电氧化层。

基于上述，本发明提出一种高电子迁移率晶体管，其包含依序堆叠的一缓冲层、一载流子传输层以及一载流子供应层位于一基底上；一栅极位于载流子供应层上；以及一源极电极以及一漏极电极位于栅极的相对两侧，其中源极电极以及漏极电极都包含由下而上堆叠的一导电层以及一导电氧化层。如此一来，导电层可提供低电阻率，而导电氧化层能防止导电层氧化，且导电氧化层的制造成本低于一般常用的金。

附图说明

图1为本发明一实施例的高电子迁移率晶体管的剖面示意图；

图2为本发明一实施例的高电子迁移率晶体管的剖面示意图；

图3为本发明一实施例的高电子迁移率晶体管的剖面示意图；

图4为本发明一实施例的高电子迁移率晶体管的剖面示意图。

主要元件符号说明

100：高电子迁移率晶体管

110：基底

120：缓冲层

130：载流子传输层

140：载流子供应层

150：栅极

152：底部

154：顶部

162、262：源极电极

162a、164a：导电层

162b、164b：导电氧化层