[发明专利]高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201910639471.X | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN112242441A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 江怀慈;林胜豪;刘冠宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/45;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
缓冲层，位于基底上；
载流子传输层，位于该缓冲层上；
载流子供应层，位于该载流子传输层上；
栅极，位于该载流子供应层上；以及
源极电极以及漏极电极，位于该栅极的相对两侧，其中该源极电极以及该漏极电极都包含由下而上堆叠的导电层以及导电氧化层。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该导电氧化层的厚度小于该导电层的厚度。
3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该导电氧化层仅覆盖该导电层的顶面。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该导电层包含金属。
5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中该导电层包含钛、铝、钨或钯。
6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该导电氧化层包含氧化铟锡。
7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该源极电极以及该漏极电极部分位于该载流子供应层中。
8.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该源极电极的底面、该漏极电极的底面以及该载流子供应层的底面共平面。
9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含非有意掺杂的氮化铝镓(AlxGa1-xN)层、N型氮化铝镓(AlxGa1-xN)层或P型氮化铝镓(AlyGa1-yN)层。
10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，还包含：
掺杂区仅位于该源极电极以及该漏极电极的正下方。
11.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其中该些掺杂区直接接触该源极电极以及该漏极电极。
12.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其中该些掺杂区包含硅或锗。
13.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其中该些掺杂区仅位于该源极电极以及该漏极电极的正下方的部分该载流子供应层中。
14.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其中该些掺杂区仅位于该源极电极以及该漏极电极的正下方的部分该载流子传输层中。
15.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其中该些掺杂区仅位于该源极电极以及该漏极电极的正下方的部分的该载流子供应层以及该载流子传输层中。
16.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子传输层包含一非有意掺杂的氮化镓层。
17.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该栅极包含底部以及顶部，其中该底部包含P型氮化铝镓(AlyGa1-yN)层，而该顶部包含金属。
18.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含堆叠的三五族半导体层。
19.如权利要求18所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓或氮化铝。
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