[发明专利]基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备在审

专利信息
申请号: 201910639176.4 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN110752133A 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 金光男;金成妍;金亨俊;宣钟宇;吴相录;洪定杓 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01J37/02 分类号: H01J37/02;H01J37/20;H01J37/305;H01J37/32
代理公司: 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 赵南;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 基板支撑设备 凹陷 接地环体 基板台 接地环 接地块 等离子体处理设备 导电材料 支撑基板 组件包括 电接地 容纳 移动
【说明书】:

本发明提供了基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备。所述基板支撑设备包括:用于支撑基板的基板台,和沿着基板台的圆周的接地环组件。所述接地环组件包括:接地环体,所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷;以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块,所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。

相关申请的交叉引用

于2018年7月23日在韩国知识产权局(KIPO)提交的题为“基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备”的韩国专利申请No.10-2018-0085195的内容以引用方式全文并入本文中。

技术领域

示例实施例涉及一种基板支撑设备和一种等离子体处理设备。更具体地,示例实施例涉及一种用于支撑在等离子体腔室内的晶片的基板支撑设备和一种包括所述基板支撑设备的等离子体处理设备。

背景技术

可以使用基于等离子体的蚀刻技术来制造许多类型的半导体装置。例如,诸如电感耦合等离子体蚀刻设备的等离子体蚀刻设备可以在腔室内产生等离子体以执行蚀刻处理。

发明内容

根据示例实施例,一种基板支撑设备包括:用于支撑基板的基板台,和沿着基板台的圆周的接地环组件,所述接地环组件包括:接地环体,所述接地环体具有沿着所述接地环体的圆周部分的多个凹陷;以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块,所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。

根据示例实施例,一种基板支撑设备包括:用于支撑基板的基板台;沿着基板台的圆周安装的接地环组件,接地环组件包括接地环体和由导电材料形成以电接地的多个接地块,所述接地环体具有沿所述接地环体的圆周部分形成的多个凹陷,接地块安装成能移动以被容纳在相应的凹陷中;以及挡板构件,其沿着基板台的圆周布置在接地环体的上方并且电连接至接地环体。

根据示例实施例,一种等离子体处理设备包括:提供用于对基板进行处理的空间的腔室,用于在腔室内支撑基板并且包括下电极的基板台,布置在腔室的上部以面对下电极的上电极,用于向上电极施加等离子体功率的第一电源,用于向下电极施加偏置功率的第二电源,以及沿基板台的圆周安装的接地环组件。接地环组件包括环形的接地环体和多个接地块,接地环体具有沿接地环体的圆周部分形成的多个凹陷,接地块安装成能移动以被容纳在相应的凹陷中。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例,本发明的特征对于本领域技术人员将变得更加明显,其中:

图1示出了根据示例实施例的等离子体处理设备的示意图。

图2示出了图1的部分A的放大截面视图。

图3示出了图1中的腔室内的基板台的平面视图。

图4示出了图2中的基板台周围的接地环组件的透视图。

图5示出了图4中的接地环组件的接地环体的透视图。

图6示出了图5中的接地环体的下表面的仰视图。

图7示出了沿图5中的线A-A'截取的截面视图。

图8A和8B示出了图4中的接地环组件的接地块的运动的截面视图。

图9示出了用于控制晶片上的不对称CD分布的接地块的布置的平面视图。

图10示出了根据示例实施例的等离子体处理方法的流程图。

具体实施方式

在下文中,将参考附图详细解释示例实施例。

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