[发明专利]存储器件、电阻式存储单元阵列的电压补偿控制器和方法

说明书

存储器件包括电阻式存储单元阵列，其中，多条字线连接至电阻式存储单元阵列。电压补偿控制器被配置为确定要施加到多条字线的所选字线的字线电压。字线驱动器被配置为将确定的字线电压施加到所选字线。本申请的实施例还涉及电阻式存储单元阵列的电压补偿控制器和方法。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器件、电阻式存储单元阵列的电压补偿控制器和方法。

背景技术

集成电路(IC)存储器件包括电阻式存储器，诸如电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)等。例如，RRAM是包括RRAM单元阵列的存储器结构，每个RRAM单元使用电阻值而不是电荷来存储数据位。特别地，每个RRAM单元包括电阻材料层，其电阻可以调整为表示逻辑“0”或逻辑“1”。

发明内容

本发明的实施例提供了一种存储器件，包括：

电阻式存储单元阵列；

多条字线，连接至所述电阻式存储单元阵列；

电压补偿控制器，被配置为确定要施加到所述多条字线的所选字线的字线电压；以及

字线驱动器，被配置为将确定的字线电压施加到所述所选字线。

本发明的另一实施例提供了一种用于电阻式存储单元阵列的电压补偿控制器，包括：

输入端子，被配置为接收对应于电阻式存储单元阵列的字线的字线地址；

位置补偿模块，被配置为基于所述字线地址相对于所述电阻式存储单元阵列的I/O控制块的位置来选择预定数量的字线电压中的一个字线电压；

温度补偿模块，被配置为确定所述电阻式存储单元阵列的第一温度下的最小字线电压和所述电阻式存储单元阵列的高于所述第一温度的第二温度下的最大字线电压；

输出端子，被配置为基于所述位置补偿模块和所述温度补偿模块的输出来输出字线电压。

本发明的又一实施例提供了一种电压补偿的方法，包括：

提供电阻式存储单元阵列，

提供连接至所述电阻式存储单元阵列的多条字线；

接收字线地址；

确定字线电压，确定所述字线电压包括从多个预定电压电平中选择字线电压；

将所选字线电压施加到所述电阻式存储单元阵列的多条字线中的所选字线。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。此外，附图示出为本发明的实施例的示例并且不旨在限制。

图1是总体示出根据一些实施例的可操作地耦合到电阻式存储单元阵列的示例性电压补偿控制器的框图。

图2是总体示出根据一些实施例的可操作地耦合到电阻式存储单元阵列的另一示例性电压补偿控制器的框图。

图3是总体示出根据一些实施例的可操作地耦合到电阻式存储单元阵列的另一示例性电压补偿控制器的框图。

图4是总体示出根据一些实施例的可操作地耦合到电阻式存储单元阵列的另一示例性电压补偿控制器的框图。

图5是示出根据一些实施例的用于电阻式存储器件的示例性位置补偿方案的电路图。

图6A是示出根据一些实施例的示例性字线电压发生器电路的电路图。

图6B是对应于图6A的电压发生器电路的地址表的实例。