[发明专利]存储器件、电阻式存储单元阵列的电压补偿控制器和方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

电阻式存储单元阵列；

连接至所述电阻式存储单元阵列的I/O块；

多条字线，连接至所述电阻式存储单元阵列；

电压补偿控制器，被配置为确定要施加到所述多条字线的所选字线的字线电压，其中，所述电压补偿控制器被配置为确定要施加到所述多条字线的所选字线的字线电压，包括：所述电压补偿控制器被配置为基于所述所选字线与所述I/O块的距离确定要施加到所述多条字线的所选字线的所述字线电压；以及

字线驱动器，被配置为将确定的字线电压施加到所述所选字线。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述电压补偿控制器包括位置补偿模块，并且通过所述位置补偿模块来确定所述字线电压。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，

所述I/O块连接至所述电阻式存储单元阵列的多个电阻式存储单元。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，通过基于距离所述I/O块的位置将所述电阻式存储单元阵列分成多个预定段，从预定数量的字线电压中选择所述确定的字线电压，其中，对应于远离所述I/O块的段的第一预定字线电压低于对应于靠近所述I/O块的段的第二预定字线电压。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述电压补偿控制器被配置为基于所述电阻式存储单元阵列的温度确定所述字线电压。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述电压补偿控制器被配置为确定第一温度下的最小字线电压和高于所述第一温度的第二温度下的最大字线电压。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述电压补偿控制器被配置为确定与所述电阻式存储单元阵列的温度成比例地从所述第一温度下的所述最小字线电压增加至高于所述第一温度的所述第二温度下的最大字线电压的字线电压。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述字线电压从所述第一温度下的所述最小字线电压线性地增加至高于所述第一温度的所述第二温度下的最大字线电压。

9.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述电压补偿控制器包括：温度补偿电路，被配置为接收所述电阻式存储单元阵列的温度并且输出参考信号；以及位置补偿电路，被配置为接收所述参考信号并且基于所述所选字线和所述参考信号确定所述字线电压。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述电阻式存储单元阵列包括第一子阵列和第二子阵列，其中，所述电压补偿控制器位于所述第一子阵列和所述第二子阵列之间。

11.一种用于电阻式存储单元阵列的电压补偿控制器，包括：

输入端子，被配置为接收对应于电阻式存储单元阵列的字线的字线地址；

位置补偿模块，被配置为基于所述字线相对于所述电阻式存储单元阵列的I/O块的距离来选择多个预定电压电平中的一个；

温度补偿模块，被配置为确定所述电阻式存储单元阵列的第一温度下的最小字线电压和所述电阻式存储单元阵列的高于所述第一温度的第二温度下的最大字线电压；

输出端子，被配置为基于由所述位置补偿模块选择的多个预定电压电平中的一个和由所述温度补偿模块确定的温度补偿电压来输出要施加到电阻式存储单元阵列的所述字线的字线电压。

12.根据权利要求11所述的电压补偿控制器，其中，所述温度补偿模块被配置为确定与所述电阻式存储单元阵列的温度成比例地从所述第一温度下的最小字线电压增加至高于所述第一温度的第二温度下的最大字线电压的字线电压。

13.根据权利要求12所述的电压补偿控制器，其中，确定的字线电压从所述第一温度下的最小字线电压线性地增加至高于所述第一温度的所述第二温度下的最大字线电压。