[发明专利]QLED显示屏及制备方法

说明书

本发明提供了一种QLED显示屏及制备方法。所述QLED显示屏，包括TFT背板、像素界定层和QLED，所述TFT背板包括基板、设置在基板上的TFT阵列、以及覆盖TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，TFT阵列包括漏极，钝化层/平坦层在漏极上设置有坑位，坑位露出部分或全部漏极；像素界定层在坑位上方对应设置有子像素，且子像素的开口大于坑位的开口；QLED设置在子像素中，QLED包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，阳极的材料为电导率＞0.1S的聚合物述阴极的材料为微米或纳米级导电材料胶浆，且阳极的聚合物材料填充坑位使得阳极与漏极相连。

技术领域

本发明属于量子点发光二极管领域，尤其涉及一种QLED显示屏及制备方法。

背景技术

量子点(quantum dot，简称QD)是一种由Ⅱ﹣Ⅵ族、Ⅲ﹣Ⅴ或Ⅳ﹣Ⅵ族元素组成的纳米颗粒，其受激发后可以发光。量子点的发光波长与量子点粒子的尺寸相关，因此可以通过控制量子点的尺寸，产生各种理想波长的可见光。此外，量子点发光材料具有光色纯度高、发光量子效率高、使用寿命长等优点，是一种很有前景的电致发光材料。基于量子点电致发光的显示屏(QLED)与有机电致发光显示屏(OLED)类似，都是采用类似三明治的叠层结构，通常包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极。其中，QLED发光层使用量子点代替了OLED中的有机发光材料，克服了有机发光材料对水氧敏感、稳定性差等缺点。

目前，QLED的制备主要采用溶液加工与真空蒸镀相结合实现，其中空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层主要通过溶液加工工艺实现，金属电极则是通过真空蒸镀制备。真空蒸镀工艺由于设备投资和维护费用高昂，材料浪费严重，因此成本居高不下，此外，由于受镀舱尺寸的限制，难以实现大尺寸QLED显示屏的制备。

近年来，印刷电子行业发展迅速。印刷技术被认为是实现QLED低成本和大面积生产的有效途径。印刷技术在OLED的制备中得到了广泛研究，其中中国专利(CN101916831A)公开了一种全印刷方法制备有机电致发光显示屏的方法。通过在电子注入层上增加一层阴极缓冲层，然后通过溶液加工方法(旋转涂覆、喷墨打印、丝网印刷、提拉和喷涂)在缓冲层上制备顶电极，最后在一定温度下退火烧结，得到顶电极。但是，该方法中，由于底电极依然采用了物理气相沉积的ITO，因此并没有实现真正意义上的全印刷工艺。

目前，OLED以及QLED显示屏，其子像素内的底电极都是采用导电金属氧化物ITO，ITO作为像素电极，薄膜晶体管(TFT)阵列制作完成后，首先需要一次光刻工艺，在漏极上端挖孔，刻蚀掉部分钝化层，露出漏极，然后用物理气相沉积工艺制备ITO，随后还需要一次光刻工艺将ITO图案化，最后再制作像素Bank层，因此工艺相对较为繁琐复杂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED，旨在解决现有QLED的阳极不能采用溶液加工方法制备导致制备所述QLED的设备要求高、材料浪费、成本高以及受镀舱尺寸的限制，难以制备大尺寸QLED显示屏的问题。

本发明的另一目的在于提供一种QLED显示屏，旨在解决现有QLED显示屏采用导电金属氧化物ITO作为底电极导致操作工艺繁琐复杂的问题，同时解决了现有QLED显示屏中QLED的阳极不能采用溶液加工方法制备导致制备所述QLED的设备要求高、材料浪费、成本高，以及受镀舱尺寸的限制、难以制备大尺寸QLED显示屏的问题。

本发明的另一目的在于提供QLED以及QLED显示屏的制备方法。

本发明是这样实现的，一种QLED，包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，所述阳极的材料为电导率＞0.1S的聚合物，所述阴极的材料为微米或纳米级导电材料胶浆。

相应的，一种QLED的制备方法，包括以下步骤：

分别提供所述阳极、量子点发光层和阴极的材料溶液：聚合物溶液、量子点溶液和微米或纳米级导电材料胶浆；

沉积所述聚合物溶液形成阳极；