[发明专利]QLED显示屏及制备方法

权利要求书

1.一种QLED显示屏，包括TFT背板、像素界定层和QLED，所述TFT背板包括基板、设置在所述基板上的TFT阵列、以及覆盖所述TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，所述TFT阵列包括漏极，其特征在于，所述钝化层/平坦层在所述漏极上设置有坑位，所述坑位露出部分或全部所述漏极；

所述像素界定层在所述坑位上方对应设置有子像素，且所述子像素的开口大于所述坑位的开口；

所述QLED设置在所述子像素中，所述QLED包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，所述阳极的材料为电导率＞0.1S的聚合物，所述阴极的材料为微米或纳米级导电材料胶浆，且所述阳极的聚合物材料填充所述坑位使得所述阳极与所述漏极相连，所述聚合物包括PEDOT材料。

2.如权利要求1所述的QLED显示屏，其特征在于，所述阴极的材料选自铝微米或纳米级导电材料胶浆、金微米或纳米级导电材料胶浆、银微米或纳米级导电材料胶浆、铜微米或纳米级导电材料胶浆、锌微米或纳米级导电材料胶浆中的至少一种。

3.一种QLED显示屏的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一TFT背板，所述TFT背板包括基板、设置在所述基板上的TFT阵列，以及覆盖所述TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，所述TFT阵列包括漏极；

在所述TFT背板上沉积Bank材料形成Bank层，其中，所述Bank材料为正性光刻胶；采用第一掩膜板对所述Bank层进行第一次曝光、显影处理，使所述Bank层形成第一曝光区域；刻蚀所述第一曝光区域下的所述钝化层/平坦层，使所述钝化层/平坦层在所述漏极上形成坑位，所述坑位露出部分或全部所述漏极；采用第二掩膜板对所述Bank层进行第二次曝光、显影处理，得到形成有子像素的像素界定层，所述第二次曝光、显影处理使所述Bank层形成第二曝光区域，且第二曝光区域包括所述第一曝光区域；

在所述子像素内制备QLED，且阳极的材料填充所述漏极的坑位使得所述阳极和所述漏极相连，其中，所述QLED的制备方法，包括以下步骤：

分别提供所述阳极、量子点发光层和阴极的材料溶液：聚合物溶液、量子点溶液和微米或纳米级导电材料胶浆；且所述聚合物溶液中的聚合物的电导率＞0.1S，所述聚合物包括PEDOT材料；

沉积所述聚合物溶液形成阳极；

在所述阳极上沉积所述量子点溶液形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上沉积所述微米或纳米级导电材料胶浆形成阴极。

4.如权利要求3所述的QLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述阴极的材料选自铝微米或纳米级导电材料胶浆、金微米或纳米级导电材料胶浆、银微米或纳米级导电材料胶浆、铜微米或纳米级导电材料胶浆、锌微米或纳米级导电材料胶浆中的至少一种。

5.如权利要求3或4所述的QLED显示屏的制备方法，其特征在于，沉积所述聚合物溶液形成阳极后，还包括对所述阳极进行热处理，所述热处理的温度为100-250℃。

6.如权利要求3或4所述的QLED显示屏的制备方法，其特征在于，在所述量子点发光层上沉积所述微米或纳米级导电材料胶浆形成阴极后，还包括对所述阴极依次进行热处理和退火处理，其中，所述热处理的温度为50-80℃，所述退火处理的温度为100-160℃。

7.如权利要求3或4所述的QLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述坑位露出部分所述漏极。

8.如权利要求7所述的QLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述坑位露出所述漏极远离源极的一端。