[发明专利]电压调节器和电压调节器的控制方法有效
申请号: | 201910629074.4 | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN110716608B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 黑田忠克;富冈勉;泽井英幸;出口充康 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | G05F1/575 | 分类号: | G05F1/575;G05F1/571;H03F1/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;闫小龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 调节器 控制 方法 | ||
1.一种电压调节器,在输出规定的输出电压的输出端子接地短路时,控制进行该输出电压的控制的差动放大电路中的作为PMOS晶体管的第1输入晶体管和第2输入晶体管的各个的栅极•源极间电压,所述电压调节器的特征在于,具备:
电流源,驱动所述差动放大电路;
所述第1输入晶体管,源极经由尾部连接点连接于所述电流源的电流源输出端子,基准电压被输入到栅极;
所述第2输入晶体管,源极连接于所述尾部连接点,栅极连接于所述输出端子;以及
电压控制部,包括第1电压控制部、第2电压控制部、第3电压控制部和第4电压控制部之中的至少一个,所述第1电压控制部被插入到所述尾部连接点与所述第1输入晶体管的栅极之间并且与该栅极的电压对应地控制所述尾部连接点的电压,所述第2电压控制部被插入到所述第1输入晶体管的栅极与接地点之间并且与所述第2输入晶体管的栅极的电压对应地控制所述第1输入晶体管的栅极的电压,所述第3电压控制部被插入到所述尾部连接点与所述第2输入晶体管的栅极之间并且与该栅极的电压对应地控制所述尾部连接点的电压,所述第4电压控制部被插入到所述第2输入晶体管的栅极与接地点之间并且与所述第1输入晶体管的栅极的电压对应地控制所述第2输入晶体管的栅极的电压。
2.根据权利要求1所述的电压调节器,其特征在于,
所述电压控制部包括所述第1电压控制部和所述第2电压控制部,
在所述输出端子接地短路时,所述第1电压控制部和所述第2电压控制部的各个对所述尾部连接点的电压、所述第1输入晶体管的栅极的电压各个进行控制,使所述第1输入晶体管的栅极•源极间电压和所述第2输入晶体管的栅极•源极间电压为规定的电压差。
3.根据权利要求2所述的电压调节器,其特征在于,
所述第1电压控制部限制所述尾部连接点的电压,
所述第2电压控制部限制所述第1输入晶体管的栅极的电压。
4.根据权利要求2或3所述的电压调节器,其特征在于,还具备:
电阻,被插入到所述尾部连接点与所述第1输入晶体管的源极之间;以及
第5电压控制部,被插入到接地点与所述电阻和第1输入晶体管的源极的连接点之间,
所述第5电压控制部与所述第1输入晶体管的栅极的电压对应地将所述第1输入晶体管的栅极•源极间电压控制为比所述第1输入晶体管的阈值电压低的电压。
5.根据权利要求1至3的任一项所述的电压调节器,其特征在于,
所述电压控制部包括所述第3电压控制部和所述第4电压控制部,
在所述输出端子接地短路时,所述第3电压控制部和所述第4电压控制部的各个对所述尾部连接点的电压、所述第2输入晶体管的栅极的电压各个进行控制,使所述第1输入晶体管的栅极•源极间电压和所述第2输入晶体管的栅极•源极间电压为规定的电压差。
6.根据权利要求4所述的电压调节器,其特征在于,
所述电压控制部包括所述第3电压控制部和所述第4电压控制部,
在所述输出端子接地短路时,所述第3电压控制部和所述第4电压控制部的各个对所述尾部连接点的电压、所述第2输入晶体管的栅极的电压各个进行控制,使所述第1输入晶体管的栅极•源极间电压和所述第2输入晶体管的栅极•源极间电压为规定的电压差。
7.根据权利要求5所述的电压调节器,其特征在于,
所述第3电压控制部限制所述尾部连接点的电压,
所述第4电压控制部限制所述第2输入晶体管的栅极的电压。
8.根据权利要求5所述的电压调节器,其特征在于,还具备:
电阻,被插入到所述尾部连接点与所述第2输入晶体管的源极之间;以及
第6电压控制部,被插入到接地点与所述电阻和第2输入晶体管的源极的连接点之间,
所述第6电压控制部与所述第2输入晶体管的栅极的电压对应地将所述第2输入晶体管的栅极•源极间电压控制为比所述第2输入晶体管的阈值电压低的电压。
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