[发明专利]导热性片的制造方法在审
| 申请号: | 201910625010.7 | 申请日: | 2019-07-11 |
| 公开(公告)号: | CN110739223A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
| 发明(设计)人: | 荒卷庆辅;户端真理奈 | 申请(专利权)人: | 迪睿合株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/40;H01L23/373 |
| 代理公司: | 11338 北京挚诚信奉知识产权代理有限公司 | 代理人: | 邢悦;马铁军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成型体 粘合剂树脂 导热性片 导热性 未固化 渗出 导热性树脂组合物 制造 导热性填料 减压环境 成片状 密合性 片主体 切削 固化 成型 压制 申请 | ||
本申请涉及导热性片的制造方法。本发明的课题是提供使粘合剂树脂的未固化成分高效地渗出至成型体片的表面,提高了密合性的导热性片的制造方法。作为解决本发明课题的方法,提供一种导热性片的制造方法,其包括下述工序:使在粘合剂树脂中含有导热性填料的导热性树脂组合物成型成预定的形状并固化,形成导热性成型体的工序,将上述导热性成型体切削成片状,形成成型体片的工序,以及在减压环境下将上述成型体片进行压制,从而利用从上述成型体片的片主体渗出的上述粘合剂树脂的未固化成分来被覆上述成型体片的表面的工序。
技术领域
本发明涉及粘贴于电子部件等,提高其散热性的导热性片的制造方法。
背景技术
以往,个人电脑等各种电气设备、其它设备所搭载的半导体元件中,由于运行而产生热,如果产生的热被蓄积,则对于半导体元件的运行、周边设备产生不良影响,因此使用了各种冷却方法。作为半导体元件等电子部件的冷却方法,已知:在该设备中安装风扇,将设备壳体内的空气进行冷却的方式;在该应当冷却的半导体元件中安装散热片、散热板等热沉的方法等。
在半导体元件中安装热沉来进行冷却的情况下,为了高效地释放半导体元件的热,在半导体元件与热沉之间设置有导热性片。作为导热性片,广泛使用了在有机硅树脂中分散含有碳纤维等导热性填料等填充剂的导热性片(参照专利文献1)。这些导热性填料具有导热的各向异性,例如已知:在使用碳纤维作为导热性填料的情况下,在纤维方向上具有约600W/m·K~1200W/m·K的导热率,在使用氮化硼的情况下,在面方向上具有约110W/m·K的导热率,在与面方向垂直的方向上具有约2W/m·K的导热率,具有各向异性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-023335号公报
专利文献2:日本特开2015-029076号公报
专利文献3:日本特开2015-029075号公报
发明内容
发明所要解决的课题
这里,个人电脑的CPU等电子部件随着其高速化、高性能化,其散热量也有逐年增大的倾向。然而,相反地,处理器等的芯片尺寸由于微细硅电路技术的进步,成为与以往同等尺寸或更小的尺寸,每单位面积的热流速变高。因此,为了避免由该温度上升导致的不良状况等,要求将CPU等电子部件更高效率地散热、冷却。
为了提高导热片的散热特性,要求降低作为表示热的传导难度的指标的热阻抗。为了降低热阻抗,提高相对于作为发热体的电子部件、热沉等散热体的密合性、使导热片变薄来降低热阻抗是有效的。
在将导热成型体切成薄片来制成导热性片的情况下,切削后的片表面具有凹凸,缺乏密合性。如果缺乏密合性,则在安装工序中由于与部件不密合而发生从部件脱落等不良状况,此外,具有由于与作为发热体的电子部件、热沉等散热体的密合性差而会包含空气,不能充分地降低热阻抗这样的问题。
针对这样的问题,还提出了将切削导热成型体而制作的导热片的表面进行压制,或长时间静置,从而使粘合剂树脂的未固化成分渗出到表面来改善导热性片与电子部件的密合性的技术(参照专利文献2、3)。
然而,与厚的导热性片相比,薄的导热性片中所存在的粘合剂树脂的未固化成分少,即使压制也不会充分地渗出至片表面,粘合剂没有均匀地渗出至片表面,因导热片表面位置的不同而产生密合性的偏差,存在热阻抗会上升这样的问题。
此外,切成薄片后的导热性片如果是包含大量未固化成分的柔软的片,那么在电子部件与散热构件之间长时间被加压的话,还有产生伸长而不能维持形状这样的问题。另一方面,如果是硬的导热性片,则粘合剂树脂的未固化成分少,即使压制也不易渗出,达不到覆盖片表面而改善密合性。这样的问题即使在静置导热性片的情况下也是同样的,具有密合性变得不充分的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





