[发明专利]一种显示基板和显示面板在审
申请号: | 201910621978.2 | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN110320721A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 林万;董殿正;崔晓鹏;张强;王光兴;许文鹏;王海旭;王雷阳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/13357 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背光模组 显示基板 阵列基板 光线处理层 像素开口 显示面板 背光 薄膜晶体管 光线汇聚 透光显示 黑矩阵 像素 照射 变更 汇聚 | ||
本发明提供一种显示基板和显示面板。该显示基板包括背光模组和阵列基板,阵列基板设置在背光模组的出光侧,还包括光线处理层,光线处理层设置在背光模组与阵列基板之间,用于将背光模组发出的光线汇聚至阵列基板的像素开口区域,像素开口区域为像素的透光显示区。该显示基板背光模组发出的光线经过光线处理层汇聚后全部照射至像素开口区域,从而实现在原有薄膜晶体管和黑矩阵设计不做变更的情况下,使背光模组发出的光线能够全部用于显示,进而最大限度地提高了背光光线的利用率,并最大限度地提高了显示基板的显示亮度。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板和显示面板。
背景技术
目前TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)显示设计由于存在TFT开关、BM(黑矩阵)等,显示开口率约为65%;即35%背光照射到TFT开关及BM无法利用,提高TFT-LCD的开口率以提高TFT-LCD的显示亮度成为TFT-LCD设计的瓶颈。
发明内容
本发明针对现有技术中的问题,提供一种显示基板和显示面板。该显示基板背光模组发出的光线经过光线处理层汇聚后全部照射至像素开口区域,从而实现在原有薄膜晶体管和黑矩阵设计不做变更的情况下,使背光模组发出的光线能够全部用于显示,进而最大限度地提高了背光光线的利用率,并最大限度地提高了显示基板的显示亮度。
本发明提供一种显示基板,包括背光模组和阵列基板,所述阵列基板设置在所述背光模组的出光侧,还包括光线处理层,所述光线处理层设置在所述背光模组与所述阵列基板之间,用于将所述背光模组发出的光线汇聚至所述阵列基板的像素开口区域,所述像素开口区域为像素的透光显示区。
优选地,所述光线处理层包括多个超透镜单元,多个所述超透镜单元排布呈阵列,所述阵列基板包括排布呈阵列多个亚像素,所述超透镜单元与所述亚像素一一对应设置。
优选地,所述超透镜单元包括金属膜和开设在所述金属膜上的多个狭缝,多个所述狭缝的长度方向相互平行,且多个所述狭缝沿垂直于其长度方向的第一方向排布,所述第一方向平行于所述亚像素排布的行方向或列方向。
优选地,任意相邻所述狭缝间的间距相等;在所述第一方向上、从所述超透镜单元的中间向两边、其所述狭缝的宽度线性增加。
优选地,相邻所述狭缝间的间距范围为180-220nm。
优选地,所述狭缝的宽度范围为80-150nm。
优选地,所述金属膜的厚度范围为400-500nm。
优选地,所述金属膜的材料为二氧化钛。
优选地,所述超透镜单元的工作波长范围为400-700nm;所述超透镜单元对背光光线进行汇聚的焦距范围为20-40μm。
本发明还提供一种显示面板,包括上述显示基板。
本发明的有益效果:本发明所提供的显示基板,通过设置光线处理层,能将背光模组发出的光线汇聚至阵列基板的像素开口区域,能避免背光模组发出的光线照射至显示基板的薄膜晶体管所在区域和黑矩阵覆盖区域,背光模组发出的光线经过光线处理层汇聚后全部照射至像素开口区域,从而实现在原有薄膜晶体管和黑矩阵设计不做变更的情况下,使背光模组发出的光线能够全部用于显示,进而最大限度地提高了背光光线的利用率,并最大限度地提高了显示基板的显示亮度。
本发明所提供的显示面板,通过采用上述显示基板,提高了该显示面板的背光光线利用率和显示亮度,从而提升了该显示面板的显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例1中显示基板的结构剖视示意图;
图2为图1中光线处理层中超透镜单元的分布示意图;
图3为图1中阵列基板中亚像素的排布示意图;
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