[发明专利]三维存储器的制备方法、三维存储器及电子设备

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供晶圆结构，其中，所述晶圆结构具有沟道孔；以及

在所述沟道孔的侧壁上形成阻挡绝缘层，所述阻挡绝缘层包括位于所述沟道孔的开口处的第一部分以及位于所述沟道孔底壁的第二部分；其中，所述阻挡绝缘层的厚度沿着所述沟道孔的开口到底壁的方向上逐渐增加；

所述制备方法还包括：

在所述阻挡绝缘层上依次形成电荷捕获层和隧穿绝缘层，所述隧穿绝缘层的厚度沿着所述沟道孔的开口到底壁的方向上逐渐增加。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一部分的厚度与所述第二部分的厚度的比值不大于0.8。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“所述阻挡绝缘层的厚度沿着所述沟道孔的开口到底壁的方向上逐渐增加”包括：

在所述沟道孔的侧壁上形成厚度相同的初始阻挡绝缘层；以及

刻蚀所述初始阻挡绝缘层以形成阻挡绝缘层，其中，所述阻挡绝缘层的厚度沿着所述沟道孔的开口到底壁的方向上逐渐增加。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“所述阻挡绝缘层的厚度沿着所述沟道孔的开口到底壁的方向上逐渐增加”包括：

在所述沟道孔的侧壁上形成初始阻挡绝缘层，所述初始阻挡绝缘层的厚度沿着所述沟道孔的开口到底壁的方向上逐渐减少；以及

刻蚀所述初始阻挡绝缘层以形成阻挡绝缘层，其中，所述阻挡绝缘层的厚度沿着所述沟道孔的开口到底壁的方向上逐渐增加。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，“在所述沟道孔的孔壁上形成初始阻挡绝缘层，所述初始阻挡绝缘层厚度沿着所述沟道孔的开口到底壁的方向上逐渐减少”包括：

在所述沟道孔的孔壁上形成所述初始阻挡绝缘层，其中，所述初始阻挡绝缘层位于所述沟道孔开口处的第一部分的厚度与位于所述沟道孔底壁的第二部分的厚度的比值大于1小于1.05。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，“在所述沟道孔的孔壁上形成阻挡绝缘层，其中，所述阻挡绝缘层的厚度沿着所述沟道孔的开口到底壁的方向上逐渐增加”包括：

在所述沟道孔的侧壁上形成初始阻挡绝缘层，其中，所述初始阻挡绝缘层位于所述沟道孔开口处的第一部分的厚度与位于所述沟道孔底壁的第二部分的厚度的比值大于0.8小于1；以及

刻蚀所述初始阻挡绝缘层以形成阻挡绝缘层，其中，所述阻挡绝缘层的所述第一部分的厚度与所述第二部分的厚度的比值不大于0.8。

7.根据权利要求3-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，“刻蚀所述初始阻挡绝缘层”的方法包括干法刻蚀与湿法刻蚀。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀包括：控制刻蚀所述初始阻挡绝缘层的时间，以使形成的所述阻挡绝缘层的厚度沿着所述沟道孔的开口到底壁的方向上逐渐增加。

9.根据权利要求3-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，“在所述沟道孔的孔壁上形成初始阻挡绝缘层”包括：

在所述沟道孔的侧壁上形成牺牲层；以及

氧化所述牺牲层以形成所述初始阻挡绝缘层。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在“提供晶圆结构，其中，所述晶圆结构具有沟道孔”与“在所述沟道孔的侧壁上形成阻挡绝缘层”之间，所述制备方法还包括：

在所述沟道孔内形成外延结构；

形成所述阻挡绝缘层时所述沟道孔露出所述外延结构，且所述制备方法还包括：所述电荷捕获层和所述隧穿绝缘层使所述沟道孔露出所述外延结构。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隧穿绝缘层包括位于所述沟道孔的开口处的第三部分以及位于所述沟道孔底壁的第四部分，所述第三部分的厚度与所述第四部分的厚度的比值不大于0.8。