[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和液晶显示装置有效
申请号: | 201910614460.6 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN110161600B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 陈雷;王雪绒;汪志强;孙川;马鑫;王秋里;姚建峰;杨超;芮博超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00;G02F1/13357 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 液晶 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括第一衬底以及设置在所述第一衬底上的多个亚像素单元;
所述阵列基板还包括设置于所述第一衬底上,且与多个所述亚像素单元一一正对的多个发光单元;
每个所述发光单元包括表面等离激元产生单元,以及设置在所述表面等离激元产生单元和自由空间界面处的荧光发射部;
每个所述发光单元中,所述表面等离激元产生单元用于在背光模组发出的光的激发作用下产生表面等离激元,所述荧光发射部用于在所述表面等离激元产生单元所产生的表面等离激元的激发下发光,并将所发出的光竖直投射到与之正对的亚像素单元上;
所述表面等离激元产生单元包括设置于所述第一衬底和所述亚像素单元之间的金属层,以及设置在所述金属层远离所述第一衬底一侧的金属光栅结构,所述金属层至少可透过波长范围在420-450nm的光;
所述荧光发射部包括设置于所述金属光栅结构的间隙中的荧光材料。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述金属光栅结构包括多条平行的矩形线栅。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
相邻的两条矩形线栅之间的间距为300-400nm,每条所述矩形线栅的线宽为150-180nm,每条所述矩形线栅的高度为10-30微米。
4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述发光单元还包括设置于所述金属光栅结构远离所述金属层一侧的透明介质层,所述透明介质层用于与所述金属层的折射率相匹配,对所述表面等离激元的振荡频率进行调节。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述透明介质层的折射率为1.55-1.65。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
多个所述发光单元包括第一颜色发光单元、第二颜色发光单元和第三颜色发光单元;
第一颜色、第二颜色和第三颜色为三基色。
7.一种液晶显示装置,其特征在于,包括液晶显示面板以及设置在所述液晶显示面板远离出光面一侧的背光模组;
所述液晶显示面板包括对置基板、如权利要求1-6任一项所述的阵列基板,以及设置在所述阵列基板和对置基板之间的液晶层;
该液晶显示装置还包括设置在所述对置基板上的上偏光片。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述背光模组所发出的光为波长范围为420-450nm的光。
9.一种如权利要求1-6任一项所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在第一衬底上每个亚像素的区域,形成发光单元;
在形成有所述发光单元的所述第一衬底上,且在每个所述亚像素的区域,形成亚像素单元;
其中,每个所述发光单元包括表面等离激元产生单元,以及形成在所述表面等离激元产生单元和自由空间界面处的荧光发射部。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,
所述表面等离激元产生单元包括金属层,和位于所述金属层远离所述第一衬底一侧的金属光栅结构;
形成发光单元,包括:
在所述第一衬底上形成所述金属层;
通过掩膜蒸镀工艺,在所述金属层上形成金属光栅结构;
在所述金属光栅结构的间隙中,通过蒸镀工艺填充荧光材料,以形成与每个所述亚像素单元一一正对的荧光发射部。
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