[发明专利]组合绝缘子结构的调整方法及组合绝缘子有效
| 申请号: | 201910611379.2 | 申请日: | 2019-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN110210183B | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
| 发明(设计)人: | 张福增;成立;王婷婷;曾向君;廖一帆 | 申请(专利权)人: | 南方电网科学研究院有限责任公司;重庆大学 |
| 主分类号: | G06F30/17 | 分类号: | G06F30/17;G06F30/20;H01B17/04;H01B17/48 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 510080 广东省广州市越*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 组合 绝缘子 结构 调整 方法 | ||
1.一种组合绝缘子结构的调整方法,其特征在于,包括:
建立复合绝缘子高压端场强预测模型,所述复合绝缘子高压端场强预测模型包括复合绝缘子结构模型和均压环结构模型和/或玻璃绝缘子结构模型的组合模型,所述复合绝缘子高压端场强预测模型至少包括可以设置的均压环屏蔽深度参数和/或玻璃绝缘子个数参数;
根据预设的多个所述均压环屏蔽深度参数和/或所述玻璃绝缘子个数参数预测多个第一高压端场强;
根据目标高压端场强在所述多个第一高压端场强中选出匹配的第二高压端场强;
根据所述第二高压端场强确认目标均压环屏蔽深度参数和/或目标玻璃绝缘子个数参数,以调整所述组合绝缘子结构;
所述根据预设的多个均压环屏蔽深度参数和/或至少一个玻璃绝缘子个数参数预测多个第一高压端场强包括:
根据预设的多个均压环屏蔽深度参数预测多个第三高压端场强;
所述根据目标高压端场强在所述多个第一高压端场强中选出匹配的第二高压端场强包括:
根据目标高压端场强在所述多个第三高压端场强中选出低于所述目标高压端场强且场强最小的第四高压端场强;
所述根据所述第二高压端场强确认目标均压环屏蔽深度参数和/或目标玻璃绝缘子个数参数,以调整所述组合绝缘子结构包括:
根据所述第四高压端场强确认第一目标均压环屏蔽深度参数,以调整所述组合绝缘子均压环的屏蔽深度;
所述根据所述第四高压端场强确认目标均压环的第一均压环屏蔽深度参数,以调整所述组合绝缘子均压环的屏蔽深度之后还包括:
根据第一均压环屏蔽深度参数和预设的多个玻璃绝缘子个数参数预测多个第五高压端场强;
根据目标高压端场强在所述多个第五高压端场强中选出低于所述目标高压端场强且场强最小的第六高压端场强;
根据所述第六高压端场强确认目标玻璃绝缘子个数参数,以调整所述组合绝缘子玻璃绝缘子的个数。
2.根据权利要求1所述的组合绝缘子结构的调整方法,其特征在于,所述根据目标高压端场强在所述多个第一高压端场强中选出匹配的第二高压端场强包括:
根据目标高压端场强在所述多个第一高压端场强中选出低于所述目标高压端场强且场强最小的第二高压端场强。
3.根据权利要求1所述的组合绝缘子结构的调整方法,其特征在于,所述均压环屏蔽深度参数范围包括:50mm-140mm。
4.根据权利要求1所述的组合绝缘子结构的调整方法,其特征在于,所述玻璃绝缘子个数参数包括:1、2和/或3。
5.根据权利要求1所述的组合绝缘子结构的调整方法,其特征在于,所述复合绝缘子高压端场强预测模型的参数还包括复合绝缘子高压侧球头电位、复合绝缘子参数的材料、复合绝缘子的个数和/或复合绝缘子的尺寸。
6.一种组合绝缘子,其特征在于,包括:
复合绝缘子串,包括至少一个复合绝缘子串套于芯棒上,所述至少一个复合绝缘子包括大伞和小伞,所述至少一个复合绝缘子的材料为硅橡胶,所述小伞位于所述大伞下方,所述复合绝缘子包裹于护套内;
均压环,包括环体和支架,所述环体位于所述至少一个复合绝缘子大伞的下方,所述支架用于将环体固定所述复合绝缘子串的所述芯棒上,所述均压环的位置用于调整所述复合绝缘子的屏蔽深度;
至少一个玻璃绝缘子,位于所述均压环的下方,用于通过连接件连接高压导线,包括头部和伞裙,所述伞裙位于所述头部的下方,所述头部与所述芯棒相连;
根据权利要求1-5任一所述的方法调整所述均压环的位置和所述玻璃绝缘子的数量。
7.根据权利要求6所述的组合绝缘子,其特征在于,所述均压环调整的所述复合绝缘子的屏蔽深度为50mm-140mm。
8.根据权利要求6所述的组合绝缘子,其特征在于,所述至少一个玻璃绝缘子的个数为1-3个。
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