[发明专利]硅衬底蚀刻溶液

说明书

本发明涉及硅衬底蚀刻溶液，更加详细地，涉及可在蚀刻氮化硅膜时抑制硅类颗粒的生成的硅衬底蚀刻溶液。

技术领域

本发明涉及硅衬底蚀刻溶液，更加详细地，涉及当蚀刻氮化硅膜时可抑制硅类颗粒的生成的硅衬底蚀刻溶液。

背景技术

当前，用于蚀刻氮化硅膜和氧化硅膜的方法有多种，其中主要使用的方法为干式蚀刻方法和湿式蚀刻方法。

干式蚀刻方法通常是指利用气体的蚀刻方法，具有各向同性优于湿式蚀刻方法的优点，但生产率远低于湿式蚀刻方法且该方法昂贵，因而趋势为广泛使用湿式蚀刻方法。

一般而言，众所周知的湿式蚀刻方法是将磷酸用作蚀刻溶液的方法。在此情况下，当仅使用纯磷酸来蚀刻氮化硅膜时，随着器件的微细化，除了氮化硅膜之外，还会蚀刻氧化硅膜，因而有可能发生各种不良以及图案异常等问题，从而需要进一步降低氧化硅膜的蚀刻速度。

由此，近年来与磷酸一同使用硅添加剂，以在增加氮化硅膜的蚀刻速度的同时降低氧化硅膜的蚀刻速度。

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的目的在于，提供可抑制在硅蚀刻溶液中生成硅类颗粒的硅衬底蚀刻溶液。

用于解决问题的方案

为了解决上述技术问题，根据本发明一实施方式，提供包含无机酸水溶液、由以下化学式1或化学式2表示的硅添加剂及由以下化学式3表示的咪唑鎓磷酸盐的硅衬底蚀刻溶液：

化学式1：

化学式2：

化学式3：

其中，R₁至R₄各自独立地为选自氢、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂环烷基、含有至少一个杂原子的C₂-C₁₀杂烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀卤代烷基、C₁-C₁₀氨基烷基、芳基、杂芳基、芳烷基及羟基、氨基、卤素、砜、膦酸、磷酸、硫醇、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑的官能团，R₅至R₁₀各自独立地为选自氢、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂环烷基、含有至少一个杂原子的C₂-C₁₀杂烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀卤代烷基、C₁-C₁₀氨基烷基、芳基、杂芳基、芳烷基及羟基、氨基、卤素、砜、膦酸、磷酸、硫醇、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑的官能团，n为1至5的整数，R₁₁至R₁₄各自独立地选自氢、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂环烷基、含有至少一个杂原子的C₂-C₁₀杂烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀卤代烷基、C₁-C₁₀氨基烷基、芳基、杂芳基及芳烷基。

发明效果