[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍型有源区，沿第一方向纵向延伸并且从衬底突出；

多个纳米片堆叠结构，在所述鳍型有源区的上表面上方隔开的位置处与所述鳍型有源区的所述上表面平行地延伸，所述多个纳米片堆叠结构的每个具有多个纳米片，所述多个纳米片具有沟道区域；

阻挡膜，覆盖所述多个纳米片堆叠结构之中与所述鳍型有源区的两侧相邻的成对纳米片堆叠结构的每个的上表面的一部分和一个侧壁；

栅电极，在所述鳍型有源区上沿与所述第一方向交叉的第二方向纵向延伸，所述栅电极包括围绕所述多个纳米片的实际栅电极和设置在所述阻挡膜上的虚设栅电极；以及

栅极电介质层，在所述实际栅电极与所述多个纳米片之间以及在所述虚设栅电极与所述阻挡膜之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述栅电极包括主栅极部分和多个子栅极部分，所述主栅极部分在所述多个纳米片上具有第一厚度，所述多个子栅极部分具有小于所述第一厚度的第二厚度，并且填充所述鳍型有源区与所述多个纳米片之间的空间，以及

其中所述实际栅电极包括所述主栅极部分和所述多个子栅极部分，并且所述虚设栅电极包括所述主栅极部分而不包括所述多个子栅极部分。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

绝缘间隔物，在所述鳍型有源区与所述多个纳米片之间的空间中。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述绝缘间隔物覆盖所述多个子栅极部分的每个的两个侧壁，且所述栅极电介质层在所述绝缘间隔物与所述多个子栅极部分的每个之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

多个残余半导体图案，在所述鳍型有源区和被所述阻挡膜覆盖的所述纳米片堆叠结构的所述多个纳米片之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述多个残余半导体图案和所述多个纳米片包括不同的半导体材料。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

源极/漏极区域，设置在所述多个纳米片堆叠结构之间；以及

绝缘间隔物，在所述鳍型有源区与所述多个纳米片之间的空间中，

其中所述绝缘间隔物设置在所述实际栅电极与所述源极/漏极区域之间以及所述多个残余半导体图案与所述源极/漏极区域之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

源极/漏极区域，连接到所述多个纳米片并且包括覆盖层和在所述覆盖层上的掩埋层，

其中所述覆盖层包括不含Ge的半导体材料，并且所述掩埋层由含Ge的半导体材料制成。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中在所述实际栅电极与所述多个纳米片之间的所述栅极电介质层与所述源极/漏极区域接触。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

源极/漏极区域，包括覆盖所述多个纳米片的至少一个侧壁的覆盖层和在所述覆盖层上的掩埋层，

其中所述覆盖层和所述掩埋层的每个包括不含Ge的半导体材料。