[发明专利]一种柔性显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201910606260.6 | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN110429107B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 明星;曹中涛 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种显示面板及其制备方法,所述显示面板包括柔性基板、缓冲层、组合绝缘层、凹槽、有机绝缘层以及第一换线层;本发明提供一种显示面板及其制备方法,第一换线层设于所述有机绝缘层上表面,且延伸至所述组合绝缘层,去除了现有技术有机绝缘层中的通孔,一方面可以减少第一换线层中的走线发生断线问题,另一方面,由于第一换线层的一侧边缘线为方形波形、锯齿波形、三角波形、正弦波形,可以减少第一换线层中的相邻的两条走线发生短路问题,从而提升显示面板的稳定性。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种柔性显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED可分为无源矩阵(PM-OLED)和有源矩阵(AM-OLED)两大类。有源矩阵显示面板包括柔性折叠显示面板及刚性显示面板。柔性折叠显示面板包括低温多晶硅薄膜晶体管(low temperature polycrystalline silicon thin film transistor,LTPS TFT)。其中,柔性折叠显示面板的工艺流程10-15道工艺,比刚性的AMOLED显示面板多出2-3道掩膜(Mask)工艺。其中,柔性折叠AMOLED LTPS显示面板包括显示区与非显示区,多出的工艺主要是将弯折区里的应力较差、柔韧性不好的无机薄膜用光刻和干刻蚀(Dry)工艺刻蚀,然后填充上有机柔韧性较好的PI材料(O-ILD),有利于其弯折特性。
目前,柔性折叠有源矩阵AMOLED LTPS显示面板被分为显示区与非显示区,非显示区包括第一弯折区、弯折部以及第二弯折区。
如图1所示,第一弯折区与第二弯折区的走线设计相同,都是采用第一走线35换线至第二换线层7,第二走线36换线至第一换线层5。其中,第一走线35为栅极GE1,第二走线36为栅极GE2,第一换线层5为源漏极SD1,第二换线层7为源漏极SD2。这样可以避免第一走线层35或第二走线层36由于应力较大而出现折断的现象,其中,第一走线层35、第二走线层36、第一换线层5以及第二换线层7均不在同一层。第一走线层35通过第二通孔38与第二换线层8连接,第二走线层36通过第一通孔37与第一换线层5连接。图1中,有机绝缘层4设于第一走线层35、第二走线层36、第一换线层5以及第二换线层7的下方。
在实际制程中,用户需要在一基板上制作第一通孔及第二通孔,使得第一走线通过第二通孔与第二换线层连接,第二走线通过第一通孔与第一换线层连接。
如图2所示,显示区与非显示区均包括柔性基板1、缓冲层2、组合绝缘层3、层间有机绝缘层4、第一换线层5、第一平坦层6、第二换线层7以及第二平坦层8。其中,一凹槽100设于所述非显示区,贯穿组合绝缘层3、缓冲层2;且下凹于柔性基板1的上表面。层间有机绝缘层4包括填充区41以及有机绝缘层42。填充区41填充至凹槽100;有机绝缘层42贴附于组合绝缘层3,且连接至填充区41。层间有机绝缘层4的材质为柔韧性较好的PI材料,提升非显示区的弯折特性。
进一步地,所述非显示区还包括第一走线层35、第二走线层36、第一通孔37以及第二通孔38;第一换线层5通过第一通孔连接至第二走线层36以及通过第二通孔连接至第一走线层35。第一通孔37贯穿有机绝缘层42、下凹于组合绝缘层3;第二通孔38贯穿有机绝缘层42、下凹于组合绝缘层3;第一通孔的深度小于第二通孔的深度。
如图3所示,为了能更准确地体现出第一换线层通过第一通孔与第二走线连接的结构示意图,因此,图3中去除了其他部件。其中,图4为图3中截面A的结构示意图;图5为图3中截面B的结构示意图。从图4中可以看出,位于第一通孔周围的有机绝缘层包括一凸起111;从图5可以看出,远离通孔的有机绝缘层不存在凸起111。因此,第一换线层经过凸起位置的部分容易发生断线风险。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的