[发明专利]一种柔性显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201910606260.6 | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN110429107B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 明星;曹中涛 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
柔性基板;
缓冲层,设于所述柔性基板一侧的表面;
组合绝缘层,设于所述缓冲层远离所述柔性基板一侧的表面;
其中,所述组合绝缘层包括:
第一绝缘层,设于所述缓冲层远离所述柔性基板一侧的表面;
第二绝缘层,设于所述第一绝缘层远离所述柔性基板一侧的表面;
组合介电层,设于所述第二绝缘层远离所述柔性基板一侧的表面;
第一走线层,设于所述第二绝缘层内;以及
第二走线层,设于所述组合介电层内;
凹槽,贯穿所述组合绝缘层、所述缓冲层,且下凹于所述柔性基板一侧的表面;
有机绝缘层,填充至所述凹槽,且贴附于所述组合绝缘层远离所述柔性基板一侧的表面;
第一换线层,设于所述有机绝缘层远离所述柔性基板一侧的表面,且延伸至所述组合绝缘层远离所述柔性基板一侧的表面;
第一通孔,贯穿所述组合介电层,其中所述第一换线层通过所述第一通孔连接至所述第二走线层;
第二通孔,贯穿所述组合介电层及所述第二绝缘层,其中所述第一换线层通过所述第二通孔连接至所述第一走线层;
第一平坦层,设于所述第一换线层、所述组合绝缘层及所述有机绝缘层远离所述柔性基板一侧的表面;
第三通孔,贯穿所述第一平坦层;
第二换线层,设于所述第一平坦层远离所述柔性基板一侧的表面,且通过所述第三通孔连接至所述第一换线层;
第二平坦层,设于所述第二换线层远离所述柔性基板一侧的表面;以及
像素定义层,设于所述第二平坦层远离所述柔性基板一侧的表面。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述有机绝缘层一侧边缘线为方形波形、锯齿波形、三角波形、正弦波形。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述组合介电层还包括:
第一介电层,设于所述第二绝缘层远离所述柔性基板一侧的表面;以及
第二介电层,设于所述第一介电层远离所述柔性基板一侧的表面;
其中,所述第二走线层设于所述第一介电层内。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述柔性基板包括:
第一柔性基板;
第一屏障层,设于所述第一柔性基板一侧的表面;
第二柔性基板,设于所述第一屏障层远离所述第一柔性基板一侧的表面;以及
第二屏障层,设于所述第二柔性基板远离所述第一柔性基板一侧的表面。
5.一种根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
柔性基板提供步骤,提供一柔性基板;
缓冲层制备步骤,在所述柔性基板上表面制备一缓冲层;
组合绝缘层制备步骤,在所述缓冲层上表面制备一组合绝缘层;
其中,所述组合绝缘层制备步骤,包括如下步骤:
第一绝缘层制备步骤,在所述缓冲层上表面制备一第一绝缘层;
第二绝缘层制备步骤,在所述第一绝缘层上表面制备一第二绝缘层,其中,第一走线层设于所述第二绝缘层内;
组合介电层制备步骤,在所述第二绝缘层上表面制备一组合介电层,其中,第二走线层设于所述组合介电层内;
第一通孔制备步骤,制备一第一通孔,所述第一通孔贯穿所述组合介电层,连接至所述第二走线层;以及
第二通孔制备步骤,制备一第二通孔,所述第二通孔贯穿所述组合介电层及所述第二绝缘层,连接至所述第一走线层;
凹槽制备步骤,制备一凹槽,所述凹槽贯穿所述组合绝缘层、所述缓冲层,且下凹于所述柔性基板的上表面;
有机绝缘层制备步骤,将有机材料沉积于所述凹槽及部分所述组合绝缘层上表面,形成一有机绝缘层;以及
第一换线层制备步骤,在所述有机绝缘层及部分所述组合绝缘层上表面制备一第一换线层;
第一平坦层制备步骤,在所述第一换线层及所述组合绝缘层上表面制备一第一平坦层;
第三通孔制备步骤,制备一第三通孔,所述第三通孔贯穿所述第一平坦层;
第二换线层制备步骤,在所述第一平坦层上表面制备一第二换线层;以及
第二平坦层制备步骤,在所述第二换线层上表面制备一第二平坦层;
其中,
所述第一换线层通过所述第一通孔连接至所述第二走线层;
所述第一换线层通过所述第二通孔连接至所述第一走线层;
所述第二换线层通过所述第三通孔连接至所述第一换线层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的