[发明专利]掩膜结构和FCVA设备

说明书

本发明提供一种掩膜结构和FCVA设备，该掩膜结构用于在静电卡盘的承载面上制造凸点，且包括均采用导电金属制作的主掩膜板和侧掩膜板，其中，主掩膜板用于在静电卡盘的承载面上形成对应凸点的图形化膜层；侧掩膜板用于完全遮挡静电卡盘的侧面，以避免在该侧面上形成膜层。本发明提供的掩膜结构，其可以导电，且可以避免静电卡盘的侧面被镀膜，从而可以应用于FCVA设备。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种掩膜结构和FCVA设备。

背景技术

在半导体制造工艺过程中，需要使用静电卡盘(ESC)采用静电吸附的方式固定被加工工件，例如晶圆，以避免晶圆在加工过程中出现移动。

一般来说，静电卡盘通常包括用于承载晶圆的介质层，且在该介质层中内嵌一个或多个电极。以双极型静电卡盘为例，其可以包括两个电极，二者分别与直流电源的正负两极电连接，以提供直流电压，从而利用静电引力将晶圆牢牢吸附在卡盘表面。

但是，晶圆与静电卡盘之间的这种紧密接触可能会导致晶圆及卡盘之间的磨损，从而引发微小颗粒的产生。随着加工时间的增加，颗粒的数量会逐渐增加，并且大量颗粒可能附着在晶圆的背面，然后随着工艺步骤的推进被传递到不同的腔室，从而给半导体工艺带来不良影响。

为了避免上述情况的发生，一种做法是在静电卡盘的表面制作数个彼此间隔的凸点，这样可以使晶圆背面除了与凸点接触之外的区域不与静电卡盘接触，从而可以减小附着在晶片背面的颗粒数量。在现有技术中，一种方法是采用物理气相沉积(Physical VaporDeposition，以下简称PVD)设备制备上述凸点，但是，由PVD设备制造的凸点的耐高温性能较差，很容易发生脱落，从而无法应用在高温环境中。还有一种方法是利用过滤阴极真空电弧(Filtered Cathodic Vacuum Arc，FCVA)设备来制备凸点，采用该FCVA设备制备的凸点既具有较高的硬度和良好的耐磨性能，又可以应用在高温环境(250℃以上)中。

但是，由于普通的PVD设备与FCVA设备的结构和镀膜原理不同，PVD设备采用的掩膜板无法应用在FCVA设备中，因此，目前亟需一种能够适用于FCVA设备的掩膜板。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种掩膜结构，该掩膜结构可以导电，且可以避免静电卡盘的侧面被镀膜，从而可以应用于FCVA工艺中。此外，本发明还提供一种FCVA设备，其采用本发明提供的上述掩膜结构，可利用FCVA工艺在静电卡盘的承载面上制造凸点。

为实现上述目的，本发明提供了一种掩膜结构，用于在静电卡盘的承载面上制造凸点，所述掩膜结构包括均采用导电金属制作的主掩膜板和侧掩膜板，其中，

所述主掩膜板用于在所述静电卡盘的承载面上形成对应所述凸点的图形化膜层；

所述侧掩膜板用于完全遮挡所述静电卡盘的侧面，以避免在所述侧面上形成膜层。

可选的，所述侧掩膜板用于环绕设置在所述静电卡盘的主体部分的侧面，且完全包覆所述静电卡盘自所述主体部分的侧面凸出的边缘部分。

可选的，所述侧掩膜板包括第一分体、第二分体和连接螺钉，其中，

所述第一分体设置在所述静电卡盘的边缘部分的正面一侧；所述第二分体设置在所述静电卡盘的边缘部分的背面一侧；并且，在所述第一分体和/或第二分体上形成有环绕在所述静电卡盘的边缘部分的侧面的外延部，所述外延部用于将所述第一分体和第二分体电导通；

所述连接螺钉用于将所述第一分体、所述第二分体与所述静电卡盘的边缘部分固定连接。

可选的，在所述第一分体与所述静电卡盘的边缘部分之间，和/或在所述第二分体与所述静电卡盘的边缘部分之间设置有缓冲件。

可选的，所述缓冲件包括密封圈或者缓冲垫片。