[发明专利]吸附装置及其制作方法及转移系统在审
| 申请号: | 201910604669.4 | 申请日: | 2019-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN110416123A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
| 发明(设计)人: | 陈柏良;林永富;田仲広久;岛田康宪 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15;H01L33/48 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 徐丽;谢蓓 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 吸附装置 磁力单元 包覆层 基板 转移系统 强磁性材料 多个目标 间隔设置 同一表面 磁力 包覆 制作 裸露 | ||
本发明提供一种吸附装置,包括:基板;及多个磁力单元,所述多个磁力单元间隔设置于所述基板的同一表面上,每一所述磁力单元包括磁体及部分包覆所述磁体的包覆层,所述包覆层为强磁性材料;每一所述磁体远离所述基板的一侧相对一所述包覆层裸露。本发明提供的吸附装置,仅在多个特定位置产生磁力,可实现单次转移多个目标物体。本发明还提供一种吸附装置制作方法及转移系统。
技术领域
本发明涉及显示面板制作领域,尤其涉及一种吸附装置、该吸附装置的制作方法及应用该吸附装置的转移系统。
背景技术
在LED显示装置尤其是Micro-LED显示面板的制造过程中,需要将大量的LED移转到具有电路的基板上进行安装固定。一种已知的移转方法是采用静电吸附的方式,即通过静电将待移转的LED吸附到一移转机构上,移转机构将LED传送到基板的上方之后,移除静电,使LED脱离吸附而落到基板上。然而,所述静电吸附的方式存在可能基板上的电路板被静电击伤的风险。
发明内容
本发明一方面提供一种吸附装置,包括:
基板;及
多个磁力单元,所述多个磁力单元间隔设置于所述基板的同一表面上,每一所述磁力单元包括磁体及部分包覆所述磁体的包覆层,所述包覆层为强磁性材料;
每一所述磁体远离所述基板的一侧相对一所述包覆层裸露。
本发明另一方面提供一种吸附装置制作方法,包括:
提供数量相等的多个磁体及多个包覆层,每一所述包覆层具有一贯穿所述包覆层的通孔,所述通孔与所述磁体的形状及尺寸被以所述磁体不会从所述通孔脱落的方式配置,每一所述包覆层为强磁性材料;
将每一所述磁体对应放入一所述包覆层的所述通孔内;
提供一基板,以所述基板封闭每一所述包覆层的通孔的其中一开口的方式使所述磁体与所述包覆层固定于该基板的同一表面。
本发明另一方面提供一种转移系统,包括:
吸附装置,所述吸附装置为如上述的吸附装置,所述吸附装置用于吸附发光二极管;
目标基板,所述目标基板上设置有多个异方性导电胶,所述异方性导电胶用于固定所述发光二极管。
本发明实施例提供的吸附装置,包括基板及设置于基板上的多个磁力单元,每一磁力单元包括磁体及部分包覆磁体的包覆层。由于包覆层为强磁性材料,则磁体产生的磁力线被限制于包覆层中,使得基板上仅对应各个磁力单元的设置位置上产生较为集中的磁力,以吸附目标物体。且由于包覆层对磁体磁力线的集中作用,有利于解决相邻的磁力单元之间的磁力发生串扰,影响吸附装置吸附效果的问题。上述吸附装置,实现了仅在基板的特定位置(各个磁力单元的设置位置) 而非整块基板产生磁性;且基板上设置有多个磁力单元,可实现单次吸附多个目标物体。
附图说明
图1为本发明实施例提供的吸附装置的结构示意图。
图2为图1中磁力单元的结构示意图。
图3为本发明一变更实施例中磁力单元的结构示意图。
图4为本发明另一变更实施例中吸附装置的结构示意图
图5为本发明实施例提供的吸附装置制作方法的流程示意图。
图6为图5中步骤S2时吸附装置的结构示意图。
图7为图5中步骤S3时吸附装置的结构示意图。
图8为本发明另一实施例中吸附装置制作流程中吸附装置的一结构示意图。
图9为本发明另一实施例中吸附装置制作流程中吸附装置的另一结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深超光电(深圳)有限公司,未经深超光电(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910604669.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





