[发明专利]吸附装置及其制作方法及转移系统在审
| 申请号： | 201910604669.4 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110416123A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈柏良;林永富;田仲広久;岛田康宪 | 申请（专利权）人： | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15;H01L33/48 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 徐丽;谢蓓 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸附装置 磁力单元 包覆层 基板 转移系统 强磁性材料 多个目标 间隔设置 同一表面 磁力 包覆 制作 裸露 | ||
1.一种吸附装置，其特征在于，包括：
基板；及
多个磁力单元，所述多个磁力单元间隔设置于所述基板的同一表面上，每一所述磁力单元包括磁体及部分包覆所述磁体的包覆层，所述包覆层为强磁性材料；
每一所述磁体远离所述基板的一侧相对一所述包覆层裸露。
2.如权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，每一所述包覆层具有一贯穿所述包覆层的通孔，所述通孔具有相对的两个开口及位于所述两个开口之间的侧壁，所述磁体位于所述通孔内并与所述侧壁贴合；
所述基板封闭每一所述包覆层的通孔的其中一开口。
3.如权利要求2所述的吸附装置，其特征在于，每一所述通孔的内径从靠近所述基板的一开口到远离所述基板的一开口逐渐减小。
4.如权利要求2所述的吸附装置，其特征在于，每一所述通孔的内径处处相等。
5.如权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述强磁性材料为铁、钴、镍中的至少一种。
6.如权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述基板和包覆层材料相同。
7.如权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述基板为可被磁力吸附的材料，各个所述磁体产生的磁力吸附所述基板使得各个所述磁力单元固定于所述基板上。
8.一种吸附装置制作方法，其特征在于，包括：
提供数量相等的多个磁体及多个包覆层，每一所述包覆层具有一贯穿所述包覆层的通孔，所述通孔与所述磁体的形状及尺寸被以所述磁体不会从所述通孔脱落的方式配置，每一所述包覆层为强磁性材料；
将每一所述磁体对应放入一所述包覆层的所述通孔内；
提供一基板，以所述基板封闭每一所述包覆层的通孔的其中一开口的方式使所述磁体与所述包覆层固定于该基板的同一表面。
9.如权利要求8所述的吸附装置制作方法，其特征在于，每一所述通孔的内径从靠近所述基板的一开口到远离所述基板的一开口逐渐减小。
10.一种转移系统，其特征在于，包括：
吸附装置，所述吸附装置为如权利要求1～5任一项所述的吸附装置，所述吸附装置用于吸附发光二极管；
目标基板，所述目标基板上设置有多个异方性导电胶，所述异方性导电胶用于固定所述发光二极管。
11.如权利要求10所述的转移系统，其特征在于，所述目标基板为显示面板的有源基板，所述目标基板定义有多个像素区域，每一所述磁力单元与一所述像素区域的位置相对应。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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