[发明专利]发光设备及制造其的方法

说明书

本申请涉及发光设备以及制造发光设备的方法。发光设备包括具有发光区域的衬底。第一电极位于发光区域中。第二电极位于发光区域中且与第一电极间隔开。发光元件位于第一电极与第二电极之间。第一接触电极将发光元件的端部连接至第一电极。第二接触电极将发光元件的另一端部连接至第二电极。第一接触电极的厚度大于或等于第一电极的厚度且第二接触电极的厚度大于或等于第二电极的厚度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年7月5日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0078428号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的实施方式的方面涉及发光设备和制造该发光设备的方法。

背景技术

即使在不良的环境条件中，发光二极管(在本文中，被称为LED)也表现出相对令人满意的耐用性，并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。最近，已经积极进行了将这种LED应用至各种发光设备的研究。作为这类研究的一部分，已经存在一种使用无机晶体结构(例如，其中生长氮化物类半导体的结构)制造小到微米级或纳米级的程度的微小棒型LED的技术。

在示例中，LED可制造成具有足够小的尺寸以构成自发光显示面板等的像素。为了使用这种棒型LED制造发光设备，应该提供这样一种方案，即，能够使得棒型LED稳定地安装，从而使得即使在棒型LED在所需位置对准之后执行后续处理时，棒型LED也不会从它们的对准位置分离。

发明内容

根据本公开的实施方式的方面，提供了能够增强图像质量并改善制造工艺的发光设备以及制造该发光设备的方法。

根据本公开的一个或多个实施方式，发光设备包括：衬底，包括发光区域；第一电极，位于发光区域中；第二电极，位于发光区域中并与第一电极间隔开；发光元件，位于第一电极与第二电极之间；第一接触电极，将发光元件的端部连接至第一电极；以及第二接触电极，将发光元件的另一端部连接至第二电极，其中，第一接触电极的厚度大于或等于第一电极的厚度且第二接触电极的厚度大于或等于第二电极的厚度。

发光设备还可包括分别布置在衬底与第一电极之间和衬底与第二电极之间的壁结构。

第一电极和第二电极可完全覆盖壁结构。

发光元件的端部可位于第一电极上，并且发光元件的另一端部可位于第二电极上。

发光设备还可包括分别布置在第一电极和第二电极上的壁结构。

发光元件可具有呈微米级或纳米级的圆柱形形状或多边形柱形状。

第一接触电极和第二接触电极可为透明电极。

发光设备还可包括配置成保护第一电极、第二电极、第一接触电极、第二接触电极和发光元件的保护层。

第一电极的端部可由第一接触电极覆盖，第二电极的端部可由第二接触电极覆盖，并且第一电极和第二电极的另一端部可由保护层覆盖。

发光元件的端部可由第一接触电极覆盖，并且发光元件的另一端部可由第二接触电极覆盖。

根据本公开的一个或多个实施方式，制造发光设备的方法包括：在衬底上的发光区域中形成彼此间隔开的第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极上形成阴影掩模；在第一电极与第二电极之间对准发光元件；使用阴影掩模通过阴影沉积形成第一接触电极和第二接触电极；以及移除阴影掩模。

该方法还可包括，在形成第一电极和第二电极之前，在衬底上形成壁结构。壁结构可分别布置在衬底与第一电极之间和衬底与第二电极之间。

第一电极和第二电极可完全覆盖壁结构。

发光元件的端部可位于第一电极上，并且发光元件的另一端部可位于第二电极上。