[发明专利]发光设备及制造其的方法

权利要求书

1.发光设备，包括：

衬底，包括发光区域；

第一电极，位于所述发光区域中；

第二电极，位于所述发光区域中并与所述第一电极间隔开；

发光元件，位于所述第一电极与所述第二电极之间；

第一接触电极，将所述发光元件的端部连接至所述第一电极；以及

第二接触电极，将所述发光元件的另一端部连接至所述第二电极，

其中，所述第一接触电极的厚度大于或等于所述第一电极的厚度且所述第二接触电极的厚度大于或等于所述第二电极的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：

多个壁结构，分别布置在所述衬底与所述第一电极之间以及所述衬底与所述第二电极之间。

3.根据权利要求2所述的发光设备，其中，所述第一电极和所述第二电极完全覆盖所述壁结构。

4.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述发光元件的所述端部位于所述第一电极上，并且所述发光元件的所述另一端部位于所述第二电极上。

5.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：

多个壁结构，分别布置在所述第一电极和所述第二电极上。

6.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述发光元件具有呈微米级或纳米级的圆柱形形状或多边形柱形状。

7.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极是透明电极。

8.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：

保护层，配置成保护所述第一电极、所述第二电极、所述第一接触电极、所述第二接触电极和所述发光元件。

9.根据权利要求8所述的发光设备，其中，

所述第一电极的端部由所述第一接触电极覆盖，

所述第二电极的端部由所述第二接触电极覆盖，以及

所述第一电极的另一端部和所述第二电极的另一端部由所述保护层覆盖。

10.根据权利要求9所述的发光设备，其中，所述发光元件的所述端部由所述第一接触电极覆盖，以及所述发光元件的所述另一端部由所述第二接触电极覆盖。

11.制造发光设备的方法，所述方法包括：

在衬底上的发光区域中形成彼此间隔开的第一电极和第二电极；

在所述第一电极和所述第二电极上形成阴影掩模；

在所述第一电极与所述第二电极之间对准发光元件；

使用所述阴影掩模通过阴影沉积形成第一接触电极和第二接触电极；以及

移除所述阴影掩模。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在形成所述第一电极和所述第二电极之前，在所述衬底上形成壁结构，

其中，所述壁结构分别布置在所述衬底与所述第一电极之间以及所述衬底与所述第二电极之间。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一电极和所述第二电极完全覆盖所述壁结构。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述发光元件的端部位于所述第一电极上，并且所述发光元件的另一端部位于所述第二电极上。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括：形成配置成保护所述第一电极、所述第二电极、所述第一接触电极、所述第二接触电极和所述发光元件的保护层。