[发明专利]激光器驱动电路及激光设备

权利要求书

1.一种激光器驱动电路，其特征在于，所述激光器驱动电路包括第一N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOS管、第二N沟道MOS管、电流镜以及第一电阻；

所述第一N沟道MOS管的漏极与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与预设供电电源连接；

所述第一N沟道MOS管的漏极与预设激光器的负极连接，所述预设激光器的正极与所述预设供电电源连接；

所述第一N沟道MOS管的漏极与所述电流镜的电流输出端连接；

所述第一N沟道MOS管的栅极，用于获取预设直流电压信号；

所述第一N沟道MOS管的源极与所述第二N沟道MOS管的漏极连接，所述第二N沟道MOS管的源极接地；

所述第二N沟道MOS管的栅极，用于获取预设电流模式逻辑CML信号。

2.如权利要求1所述的激光器驱动电路，其特征在于，所述第二N沟道MOS管的栅极，用于在所述预设CML信号为导通信号时，切换为导通状态；

所述第一N沟道MOS管的漏极，用于在所述第二N沟道MOS管处于导通状态时，输出调制电流至所述预设激光器的负极；

所述电流镜的电流输出端，用于输出偏置电流至所述预设激光器的负极；

所述第一电阻的第二端，用于获得调节电流；

所述预设激光器的正极，用于获得第一驱动电流，所述第一驱动电流为所述调制电流与所述偏置电流的和值减去所述调节电流后的差值。

3.如权利要求2所述的激光器驱动电路，其特征在于，所述第一N沟道MOS管的漏极，用于在所述预设直流电压信号为预设电压值时，将所述调制电流的电流值调节为与所述预设电压值对应的电流值，并输出调节后的调制电流至所述预设激光器的负极。

4.如权利要求1所述的激光器驱动电路，其特征在于，所述第二N沟道MOS管的栅极，用于在所述预设CML信号为截止信号时，切换为截止状态；

所述电流镜的电流输出端，用于输出偏置电流至所述预设激光器的负极；

所述第一电阻的第二端，用于获得调节电流；

所述预设激光器的正极，用于获得第二驱动电流，所述第二驱动电流为所述偏置电流减去所述调节电流后的差值。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的激光器驱动电路，其特征在于，所述电流镜包括第三N沟道MOS管、第四N沟道MOS管以及预设电流源；

所述预设激光器的负极分别与所述第三N沟道MOS管的漏极以及所述第三N沟道MOS管的栅极连接，所述第三N沟道MOS管的源极接地；

所述第三N沟道MOS管的栅极与所述第四N沟道MOS管的栅极连接，所述第四N沟道MOS管的源极与所述第三N沟道MOS管的源极连接；

所述第四N沟道MOS管的漏极与所述预设电流源的第一端连接，所述预设电流源的第二端与所述预设供电电源连接。

6.如权利要求1至4中任意一项所述的激光器驱动电路，其特征在于，所述激光器驱动电路还包括差分电路，所述差分电路与所述第二N沟道MOS管的栅极连接；

所述差分电路，用于输出所述预设CML信号。

7.如权利要求1至4中任意一项所述的激光器驱动电路，其特征在于，所述第一N沟道MOS管的寄生电容小于所述第二N沟道MOS管的寄生电容。

8.如权利要求7所述的激光器驱动电路，其特征在于，所述第一N沟道MOS管的宽长比小于所述第二N沟道MOS管的宽长比，所述宽长比为宽度与长度的比值。

9.如权利要求8所述的激光器驱动电路，其特征在于，所述第一N沟道MOS管与所述第二N沟道MOS管的长度相同。

10.一种激光设备，其特征在于，包括预设激光器与如权利要求1至9中任意一项所述的激光器驱动电路；

所述预设激光器与所述激光器驱动电路连接。