[发明专利]气体注入模块、基底处理设备以及制造半导体器件的方法

说明书

公开了一种气体注入模块、一种气体注入系统、一种基底处理设备以及一种制造半导体器件的方法。所述气体注入模块包括：喷淋头，具有位于喷淋头的第一区域上的第一注入孔和位于喷淋头的第二区域上的第二注入孔，第二区域位于第一区域的外部；第一分布板，位于喷淋头上，并且具有分别连接到第一注入孔的第一上通道和分别连接到第二注入孔的第二上通道；以及流速控制器，位于第一分布板的第一上通道和第二上通道上。流速控制器使在第一上通道和第二上通道内的压力差减小，从而气体可以在第一注入孔和第二注入孔内具有相似的流速。

本申请要求于2018年11月21日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0144454号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明构思涉及制造半导体器件的设备和方法，更具体地，涉及一种气体注入系统或模块、一种基底处理设备以及一种使用该基底处理设备制造半导体器件的方法。

背景技术

通常，通过执行多个单位工艺来制造半导体器件。单位工艺可以包括沉积工艺、扩散工艺、热工艺、光刻工艺、抛光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺和清洁工艺。蚀刻工艺可以是干蚀刻工艺、湿蚀刻工艺或者二者的组合。干蚀刻工艺很大程度上可以通过等离子体执行。由于等离子体，使得基底会在高温下被处理。

发明内容

根据本发明构思的一个方面，提供了一种气体注入系统，所述气体注入系统包括：喷淋头，具有位于喷淋头的第一区域中的第一注入孔和位于喷淋头的第二区域中的第二注入孔，第二区域位于第一区域的径向向外处；气体分布器，位于喷淋头上并且具有分别连接到第一注入孔的第一上通道和分别连接到第二注入孔的第二上通道；以及流速控制器，被构造成相对于第二上通道中的压力保持第一上通道内的压力，使得经由气体分布器引入到喷淋头中的气体以与气体流过第二注入孔的速率相似的速率流过第一注入孔。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：腔室；卡盘，位于腔室的下部中并且专用于收纳基底；以及气体注入系统，将处理气体提供到腔室中，该处理气体用于处理由卡盘收纳的基底。气体注入系统包括位于腔室的上部中的喷淋头、设置在喷淋头上的气体分布器以及流速控制器。喷淋头具有位于喷淋头的第一区域中的第一注入孔和位于喷淋头的第二区域中的第二注入孔，第二区域位于第一区域的径向向外处。气体分布器具有分别连接到第一注入孔的第一上通道和分别连接到第二注入孔的第二上通道。流速控制器被构造成相对于气体在第二上通道内的压力保持气体在第一上通道内的压力，使得经由气体分布器引入到喷淋头中的气体以与气体流过第二注入孔的速率相似的速率流过第一注入孔。

根据本发明构思的又一方面，提供了一种气体注入模块，所述气体注入模块包括：喷淋头，具有位于喷淋头的第一区域中的第一注入孔和位于喷淋头的第二区域中的第二注入孔，第二区域位于第一区域的径向向外处；气体分布器，设置在喷淋头上并与喷淋头一体地设置，并且具有连接到第一注入孔的第一上通道以及与第一上通道分离且连接到第二注入孔的第二上通道；第一压力传感器，位于第一上通道中，以检测第一上通道中的气体的压力；以及第二压力传感器，位于第二上通道中，以检测第二上通道中的气体的压力。

根据本发明构思的再一方面，提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在腔室中的卡盘上提供基底；使用气体注入模块向基底上提供气体，气体注入模块在腔室的上部中具有第一通道和位于第一通道外部的第二通道；检测在气体注入模块的第一通道和第二通道内的气体的压力；确定气体在第一通道和第二通道内是否具有压力差；并且当确定气体在第一通道和第二通道内具有压力差时，控制气体在第一通道和第二通道内具有相似的压力。

附图说明

图1是根据本发明构思的基底处理设备的示例的示意图。

图2是图1中示出的基底处理设备的气体注入模块的示例的透视的分解图。

图3是图2中示出的气体注入模块的喷淋头的示例的平面图。