[发明专利]气体注入模块、基底处理设备以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种气体注入系统，所述气体注入系统包括：

喷淋头，具有位于所述喷淋头的第一区域中的第一注入孔以及位于所述喷淋头的第二区域中的第二注入孔，所述第二区域位于所述第一区域的径向向外处；

气体分布器，位于所述喷淋头上并且具有分别连接到所述第一注入孔的第一上通道和分别连接到所述第二注入孔的第二上通道；以及

流速控制器，被构造为相对于所述第二上通道中的压力保持所述第一上通道内的压力，使得经由所述气体分布器引入到所述喷淋头中的气体以与气体流过所述第二注入孔的速率相似的速率流过所述第一注入孔。

2.根据权利要求1所述的气体注入系统，其中，所述流速控制器包括：分别设置在所述第一上通道中的第一压力传感器和分别设置在所述第二上通道中的第二压力传感器，以检测气体在所述第一上通道内的压力和在所述第二上通道内的压力。

3.根据权利要求2所述的气体注入系统，其中，所述气体分布器包括：

下板，具有连接到所述第一注入孔的第一下孔和连接到所述第二注入孔的第二下孔；以及

上板，具有置于所述第一下孔上方的第一凹槽和置于所述第二下孔上方的第二凹槽，

其中，所述第一压力传感器设置在所述第一凹槽中，并且所述第二压力传感器设置在所述第二凹槽中。

4.根据权利要求3所述的气体注入系统，其中，所述流速控制器还包括在所述第一压力传感器下方位于所述第一下孔中的第一下阀以及在所述第二压力传感器下方位于所述第二下孔中的第二下阀。

5.根据权利要求3所述的气体注入系统，其中，所述上板还具有位于所述第一凹槽上的第一引入孔和位于所述第二凹槽上的第二引入孔。

6.根据权利要求5所述的气体注入系统，其中，所述流速控制器还包括连接到所述第一引入孔并设置在所述第一压力传感器上方的第一上阀以及连接到所述第二引入孔并设置在所述第二压力传感器上方的第二上阀。

7.根据权利要求3所述的气体注入系统，其中，所述气体分布器还包括中间板，所述中间板具有在所述第一注入孔和所述第一凹槽之间延伸的第一中间孔以及在所述第二注入孔和所述第二凹槽之间延伸的第二中间孔。

8.根据权利要求2所述的气体注入系统，其中，所述第一区域具有中心段和所述中心段的径向向外的中部段，并且

所述第一压力传感器包括位于所述中心段中的中心传感器和位于所述中部段中的中部传感器。

9.根据权利要求2所述的气体注入系统，其中，所述喷淋头的所述第二区域具有径向外部部分和所述径向外部部分的径向向外的径向最外部部分，并且

所述第二压力传感器包括位于所述喷淋头的所述第二区域的所述径向外部部分中的径向外部压力传感器以及位于所述喷淋头的所述第二区域的所述径向最外部部分中的径向最外部压力传感器。

10.根据权利要求1所述的气体注入系统，所述气体注入系统还包括置于所述喷淋头和所述气体分布器之间的分布板，

其中，所述分布板具有在所述第一注入孔和所述第一上通道之间延伸的第一下通道以及在所述第二注入孔和所述第二上通道之间延伸的第二下通道。