[发明专利]像素单元、像素结构及其制作方法在审
申请号: | 201910600943.0 | 申请日: | 2019-07-04 |
公开(公告)号: | CN110364556A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 王坤 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 像素单元 矩形边界 像素结构 像素 边缘锯齿 发光效率 开口率 彩边 制作 | ||
一种像素单元、像素结构及其制作方法,其中像素单元包括排列成多边形的第一子像素、第二子像素和第三子像素。所述第三子像素设置在所述多边形的矩形边界内,所述第一子像素和所述第二子像素分别设置在所述矩形边界的两侧,其中所述第三子像素的像素面积大于所述第一子像素和所述第二子像素的像素面积,所述第一子像素为红色,所述第二子像素为绿色,所述第三子像素为蓝色。藉此,有效提升第三子像素的寿命、发光效率和整体像素单元的开口率,同时避免了彩边现象和边缘锯齿化的问题。
技术领域
本发明涉及一种显示器件技术领域,尤指一种像素单元、像素结构及其制作方法。
背景技术
在有机发光二极管(organic light emitting diode;OLED)显示技术中,红(R)、绿(G)、蓝(B)三原色像素并置(side-by-side pixelation)是发展最成熟的技术。由于红绿蓝有机发光材料之间的寿命与效率存在差异,尤其是蓝色有机发光材料寿命和效率远远比不上绿色和蓝色发光材料,如果采用传统的RGB排列,每个子像素具有相同的像素面积,在产品使用过程中,蓝色子像素的亮度会提前衰退,造成屏幕显示效果不佳或者造成屏幕失效。
为了解决OLED屏幕子像素寿命不一致的问题,将不同的子像素设置了不同的开口率/像素面积,蓝色子像素和红色子像素拥有最大的开口率,弥补其寿命和效率的缺点。如图1A所示,以现有PenTile型子像素排列而言,在实际显示图像时,PenTile的一个子像素会与相邻的另二种不同颜色的子像素构成三基色,例如在水平方向上,每个子像素和相邻的子像素共享自己所不具备的子像素,来共同达到白色显示。Pentile有效解决了红绿蓝子像素发光材料寿命不一致的问题。然而在现有技术中,由于边缘只存在红、蓝子像素或者全部为绿色子像素,如图1B所示,使得显示时不可避免的会产生彩边现象(chromaticdispersion)。为此,虽然PenTile会对这种现象做出修正,将原本应该熄灭的子像素点亮,来显示正常的颜色,但又造成了原本平整的边缘变得不再平整,呈现锯齿状,使得PenTile排列的屏幕显示边缘出现毛刺问题。
发明内容
本发明的目的,在于提供一种像素单元、像素结构及其制作方法,有效提升第三子像素的寿命、发光效率和整体像素单元的开口率,同时避免了彩边现象和边缘锯齿化的问题。
为达到本发明前述目的,本发明提供一种像素单元,包括排列成多边形的第一子像素、第二子像素和第三子像素。所述第三子像素设置在所述多边形的矩形边界内,所述第一子像素和所述第二子像素分别设置在所述矩形边界的两侧,其中所述第三子像素的像素面积大于所述第一子像素和所述第二子像素的像素面积,所述第一子像素为红色,所述第二子像素为绿色,所述第三子像素为蓝色。
优选地,所述多边形的形状包括正六边形、正八边形或正十边形。
优选地,当所述多边形为所述正六边形时,所述第一子像素和所述第二子像素为三角形,当所述多边形为所述正八边形时,所述第一子像素和所述第二子像素为梯形,当所述多边形为所述正十边形时,所述第一子像素和所述第二子像素为多边形。
优选地,还包括邻接在所述多边形外边界的第四子像素,当所述多边形为所述正八边形或所述正十边形时,所述第四子像素连接在所述第三像素一侧的外边界上,其中所述第四子像素为白色。
优选地,还包括分别间隔所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的像素定义矩阵,其中所述像素定义矩阵为黑色。
本发明还提供一种像素结构,包括多个如权利要求1所述的像素单元,各所述像素单元包括分别间隔所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的像素定义矩阵,各所述像素单元在纵向及横向上均沿直线排列,其中所述多边形包括正六边形、正八边形或正十边形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的