[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。根据一实施方式，基板处理装置具备对包含金属离子且显示酸性的第1液体进行稀释的稀释部。所述装置同时具备使通过所述稀释部稀释前或稀释后的所述第1液体的pH值变化的pH值变化部。所述装置还具备使用通过所述稀释部稀释，并通过所述pH值变化部使pH值变化后的所述第1液体，来对基板进行处理的基板处理部。

相关申请案的引用

本申请以在2018年12月11日申请的现有日本专利申请案第2018-231736号的优先权的利益为基础，且谋求其利益，并通过引用而将其全部内容包含在本申请案中。

技术领域

此处说明的多种方式的实施方式全体涉及一种基板处理装置、基板处理方法、及半导体装置的制造方法。

背景技术

已知对半导体存储器的通道半导体层供给金属来使其结晶化的技术。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够适当地对基板供给金属粒子的基板处理装置、基板处理方法、及半导体装置的制造方法。

根据一实施方式，基板处理装置具备对包含金属离子且显示酸性的第1液体进行稀释的稀释部。所述装置进而具备使通过所述稀释部稀释前或稀释后的所述第1液体的pH值变化的pH值变化部。所述装置进而具备使用通过所述稀释部稀释且通过所述pH值变化部使pH值变化后的所述第1液体来对基板进行处理的基板处理部。

根据所述构成，可提供一种能够适当地对基板提供金属粒子的基板处理装置、基板处理方法、及半导体装置的制造方法。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的构造的截面图。

图2(a)、(b)是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的截面图。

图3是示意性地表示用来执行第1实施方式的半导体装置的制造方法的装置的构成的立体图。

图4是表示第1实施方式的另一基板处理装置的构成的示意图。

图5是用来对第1实施方式的金属粒子进行说明的示意图。

图6是表示第1实施方式的比较例的基板处理装置的构成的示意图。

图7是表示第2实施方式的基板处理装置的构成的示意图。

图8是表示第3实施方式的基板处理装置的构成的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在图1～图8中，对相同或类似的构成标注相同符号，并省略重复的说明。

(第1实施方式)图1是表示第1实施方式的半导体装置的构造的截面图。图1所示的半导体装置具备三维半导体存储器。

图1所示的半导体装置具备半导体基板101、下部绝缘膜102、源极侧导电层103、上部绝缘膜104、多个电极层105、多个绝缘层106、覆盖绝缘膜107、漏极侧导电层108、第1层间绝缘膜109、第2层间绝缘膜110、多个接触插塞111、阻挡绝缘膜112、电荷蓄积层113、隧道绝缘膜114、通道半导体层115、及核心绝缘膜116。

半导体基板101例如为硅(Si)基板。图1示出与半导体基板101的表面平行且相互垂直的X方向及Y方向、及与半导体基板101的表面垂直的Z方向。在本说明书中，将+Z方向作为上方向来处理，将-Z方向作为下方向来处理。-Z方向可以与重力方向一致，也可以不与重力方向一致。

下部绝缘膜102形成在形成于半导体基板101内的扩散层L上。源极侧导电层103形成在下部绝缘膜102上。上部绝缘膜104形成在源极侧导电层103上。