[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其具备：稀释部，对包含金属离子且显示酸性的第1液体进行稀释；pH值变化部，使通过所述稀释部稀释前或稀释后的所述第1液体的pH值变化；以及基板处理部，使用通过所述稀释部稀释，并通过所述pH值变化部使pH值变化后的所述第1液体来对基板进行处理。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部通过使经所述稀释部稀释前或稀释后的所述第1液体的pH值变化，来生成包含源自所述金属离子的金属原子的所述金属粒子。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部进而将具有指定范围外的粒径的所述金属粒子从所述第1液体中去除，而使具有所述指定范围内的粒径的所述金属粒子残存在所述第1液体中，所述基板处理部利用具有所述指定范围外的粒径的所述金属粒子被去除而具有所述指定范围内的粒径的所述金属粒子残存的所述第1液体来对所述基板进行处理。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部通过将所述第1液体与显示碱性或酸性的第2液体进行混合来使所述第1液体的pH值变化。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部通过对所述第1液体进行过滤来将具有所述指定范围外的粒径的所述金属粒子从所述第1液体中去除，而使具有所述指定范围内的粒径的所述金属粒子残存在所述第1液体中。

6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部通过利用离子交换膜对所述第1液体进行处理来使所述第1液体的pH值变化，并将具有所述指定范围外的粒径的所述金属粒子从所述第1液体中去除，而使具有所述指定范围内的粒径的所述金属粒子残存在所述第1液体中。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部具备恢复部，所述恢复部对所述离子交换膜供给酸或碱来使所述离子交换膜的离子交换基恢复。

8.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部通过对所述第1液体赋予热使所述第1液体中产生热电对流，而使所述第1液体的pH值变化，将具有所述指定范围外的粒径的所述金属粒子从所述第1液体中去除，而使具有所述指定范围内的粒径的所述金属粒子残存在所述第1液体中。

9.一种基板处理方法，其包括：将包含金属离子且显示酸性的第1液体供给至基板，在所述基板的表面使所述第1液体的pH值变化，使用通过所述第1液体的pH值的变化而生成的包含金属粒子的所述第1液体来对所述基板进行处理。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中所述第1液体的pH值的变化是通过将所述第1液体与显示碱性或酸性的第2液体进行混合而产生。

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中所述第2液体是在所述第1液体被供给至所述基板之前或之后被供给至所述基板，且在所述基板的表面与所述第1液体混合。

12.一种半导体装置的制造方法，其包括：准备在存储孔内设置着存储膜的基板，将包含金属离子且显示酸性的第1液体供给至所述基板，将使所述第1液体的pH值变化的物质供给至所述基板，并对所述基板进行退火。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中所述金属离子至少包含金(Au)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、铅(Pd)、镍(Ni)、铂(Pt)、锰(Mn)、钌(Rh)、钴(Co)、铁(Fe)、铬(Cr)、钛(Ti)、铌(Nb)、铱(Ir)、或钽(Ta)。

14.根据权利要求12或13所述的半导体装置的制造方法，其中使所述第1液体的pH值变化的所述物质是显示碱性或酸性的第2液体。