[发明专利]成膜设备和使用该成膜设备的成膜方法

权利要求书

1.一种成膜设备，所述成膜设备包括：

基材支撑机构，所述基材支撑机构构造成使由所述基材支撑机构支撑的基材围绕第一旋转轴线旋转；

第一阴极部分，所述第一阴极部分构造成使成第一圆柱形状的靶围绕第二旋转轴线旋转，所述第一阴极部分包括第一磁体，所述第一磁体构造成围绕第二旋转轴线旋转；以及

第二阴极部分，所述第二阴极部分构造成使成第二圆柱形状的靶围绕第三旋转轴线旋转，所述第二阴极部分包括第二磁体，所述第二磁体构造成围绕第三旋转轴线旋转，

其中

所述第二旋转轴线和所述第三旋转轴线设置在相对于所述第一旋转轴线偏斜的位置处，

满足MaMb的关系，其中Ma是在所述第一旋转轴线延伸的方向上所述第二旋转轴线与所述基材支撑机构的基材支撑表面之间的距离，并且Mb是在所述第一旋转轴线延伸的方向上所述第三旋转轴线与所述基材支撑机构的所述基材支撑表面之间的距离，并且

满足LaLb的关系，其中La是当在所述第一旋转轴线延伸的方向上观察时所述第一旋转轴线与所述第二旋转轴线之间的距离，并且Lb是当在所述第一旋转轴线延伸的方向上观察时所述第一旋转轴线与所述第三旋转轴线之间的距离，并且

其中当在所述第一旋转轴线延伸的方向上观察时，R是由在所述基材支撑机构支撑的所述基材的成膜表面内距离所述第一旋转轴线最远的点绘制的圆的半径，所述第一旋转轴线与所述第二旋转轴线之间的距离La大于或等于R，并且

所述第一磁体的位置和所述第二磁体的位置被调节成使得从所述第二圆柱形状的靶发射的溅射粒子主要附着在由所述基材支撑机构支撑的基材的第一旋转轴线附近的区域，并且使得从所述第一圆柱形状的靶发射的溅射粒子主要附着在由所述基材支撑机构支撑的基材的外周附近的区域。

2.根据权利要求1所述的成膜设备，其中

所述第一旋转轴线与所述第三旋转轴线之间的距离Lb大于或等于1/2R。

3.根据权利要求1所述的成膜设备，其中

所述第一阴极部分的靶安装区域的在所述第二旋转轴线的方向上的宽度以及所述第二阴极部分的靶安装区域的在所述第三旋转轴线的方向上的宽度中的每一个均大于2R。

4.根据权利要求1所述的成膜设备，其中

所述第一阴极部分的靶安装区域的在所述第二旋转轴线的方向上的宽度以及所述第二阴极部分的靶安装区域的在所述第三旋转轴线的方向上的宽度中的每一个均小于2R。

5.根据权利要求1所述的成膜设备，其中

所述第一阴极部分包括沿着所述第二旋转轴线的磁体，并且所述第二阴极部分包括沿着所述第三旋转轴线的磁体。

6.根据权利要求1所述的成膜设备，其中

所述第一磁体相对于所述第一旋转轴线延伸的方向的倾斜角度大于所述第二磁体相对于所述第一旋转轴线延伸的方向的倾斜角度。

7.根据权利要求1所述的成膜设备，其还包括：

腔室，所述腔室中设置有所述基材支撑机构、所述第一阴极部分和所述第二阴极部分中的至少一个。

8.根据权利要求1所述的成膜设备，其还包括：

控制器，其中

所述控制器构造成根据待安装在所述基材支撑机构上的所述基材的配置和形状来分别调节所述第一阴极部分的磁体和所述第二阴极部分的磁体相对于所述第一旋转轴线延伸的方向的倾斜角度。

9.根据权利要求1所述的成膜设备，其中

所述第一阴极部分的磁体和所述第二阴极部分的磁体中的每一个被划分成多个磁体块，并且分别沿着所述第一阴极部分的所述第二旋转轴线和所述第二阴极部分的所述第三旋转轴线设置，并且

所述成膜设备还包括构造成在垂直于所述第二旋转轴线和所述第三旋转轴线的方向上调节划分的磁体块中的每一个的位置的机构。