[发明专利]一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法

说明书

本发明提供两种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法，两种方法都是先将晶圆在表面粗糙度为0.3的陶瓷盘里上蜡，上蜡完成后对陶瓷盘边缘清洁，之后，第一种方法是对陶瓷盘加热10分钟，随后直接推动晶圆下蜡，第二种方法是对陶瓷盘加热10分钟至能轻微推动晶圆，随后放置与水浴加热的去蜡液中浸泡后下蜡，本发明的两种下蜡方法适用于不大规格大小的晶圆下蜡，同样采用了表面粗糙度为0.3的陶瓷盘最为晶圆载具，相对于常用的镜面陶瓷盘，加热后融化的蜡液更容易渗透到晶圆与陶瓷盘之间的空间，能有效润滑并减小晶圆推动阻力，下蜡更加便捷并不会产生晶圆表面划伤及碎裂、有裂纹的情况，具有良好的推广前景。

方法领域

本发明涉及半导体晶圆加工方法领域，尤其是涉及一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法。

背景方法

半导体行业晶圆贴蜡工艺中，需经过贴蜡前加热、上蜡贴片、下蜡三个步骤，现有贴蜡工艺中常采用镜面陶瓷盘作为晶圆载体，下蜡时采用推动或浸泡下蜡的方式取下减薄后的晶圆，但往往减薄后的晶圆在镜面陶瓷盘上存在推动阻力较大的问题，尤其是厚度过薄或晶圆过大的情况下，会使的推动阻力急剧上升，导致在推片下蜡时，对晶圆造成损伤破碎或表面划伤的现象，晶圆成品率减少，大大降低了生产效率。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有方法的不足。

为了克服现有方法的不足，本发明提供一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法，所述下蜡方法包括以下步骤：

1)提供一陶瓷盘，所述陶瓷盘用于晶圆上蜡工艺，所述陶瓷盘表面粗糙度为0.3；

2)晶圆上蜡研磨完成后，对所述陶瓷盘边缘进行清洁；

3)对所述陶瓷盘进行加热，使蜡融化，在蜡融化的同时往晶圆边缘四周涂蜡；

4)对所述陶瓷盘进行加热10分钟并对所述陶瓷盘的晶圆推动下蜡区进行涂蜡；

5)提供一推动件，使用所述推动件将晶圆从下蜡区轻轻推动下蜡。

所述步骤3)中的所述陶瓷盘加热至80℃。

所述步骤5)中的所述推动件为棉棒。

为了克服现有方法的不足，本发明提供一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法，所述下蜡方法包括以下步骤：

1)提供一陶瓷盘，所述陶瓷盘用于晶圆上蜡工艺，所述陶瓷盘表面粗糙度为0.3；

2)晶圆上蜡研磨完成后，对所述陶瓷盘边缘进行清洁；

3)对所述陶瓷盘进行加热，使蜡融化；

4)提供一推动件，在所述陶瓷盘加热10分钟后，使用所述推动件轻轻推动晶圆，能推动即可进行下一步骤；

5)将所述陶瓷盘放置于水浴加热的去蜡液中，将晶圆背面朝下，在晶圆下放置一培养皿，用以晶圆下蜡脱离后接住晶圆；

6)每隔半小时取出所述陶瓷盘使用所述推动件轻轻推动晶圆，若轻松推动取下晶圆即可完成下蜡工序，若无法推动则继续浸泡并重复以上操作，在浸泡过程中会出现晶圆直接脱落于培养皿中完成下蜡工序的情况。

所述步骤3)中的所述陶瓷盘加热至80℃。

所述步骤4)和步骤6)中的所述推动件为棉棒。

所述步骤5)中的水浴加热温度为80℃。